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CCD易受空间环境中高能电子辐射的影响,造成性能下降和工作异常,针对此问题,选取某国产N沟道3相多晶硅交迭栅、帧转移结构CCD开展了电子辐照效应研究。采用三维蒙特卡罗软件FLUKA建立电子辐照CCD的组成材料Si和SiO2模型,仿真模拟电子和材料相互作用的物理过程,计算不同能量电子在Si和SiO2中的总质量阻止本领和射程,与文献理论计算结果对比验证了本文仿真方法的正确性。建立CCD像元阵列的三维模型,模拟计算不同能量电子在CCD中能量沉积过程的影响,以及像元间有无边界对电子在CCD像元中平均原子离位(DPA)的影响,分析了辐照损伤差异产生的机理。结果表明,靠近入射点的像元能量沉积最大处对应的入射电子能量较小;对于无边界像元,电子辐照产生的DPA随入射深度的增加先增加后减小,而在有边界像元中产生的DPA随入射深度的增加先减小后增加,并且随入射深度的增加无边界像元中产生的DPA与有边界像元中产生的DPA差值越来越小。 相似文献
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本文用DSC研究了尼龙1010在低于其熔点下进行逐步降温热处理后的熔化行为及其由热处理所形成的晶体的热稳定性。实验结果表明,尼龙1010经逐步降温热处理后可产生与之相应步数的熔化峰,直观地反映了试样的热历史记忆,从而说明逐步降温热处理能够产生各自独立熔化的晶体。这些晶体在低于其热处理温度下是稳定的。 相似文献
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本文用DSC首先论证淬火尼龙1010试样在DSC曲线上出现的放热峰是冷结晶峰,然后研究淬火尼龙1010在不同热处理条件下,冷结晶峰和玻璃态热松驰峰的变化规律。实验结果表明,等温结晶时间较短,试样的固态结晶速率较快;等温结晶时间较长,固态结晶速率较慢,这可能与在Tg区域等温所形成的新氢键有关。当升高等温温度时,固态结晶速率加快。在低于Tg的不同温度退火,玻璃态热松弛峰的峰高及热焓在281K达最大值,进而确定对玻璃态热松驰影响最敏感的温度区间是277~284K。 相似文献
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本文用DSC、X-射线衍射分峰、红外光谱研究高、低速卷线PET纤维的固态结晶行为,探讨在玻璃化温度(Tg)和冷结晶温度(Tc)之间的温度结晶对冷结晶峰的影响。实试结果表明,高速的Tc随结晶时间和结晶温度而增加,低速的Tc随结晶时间和结晶温度而降低。说明在结晶过程中低速的无定形大分子通过滑移重排逐步有序,而高速的无定形大分子的局部取向逐步耗散。若以结晶前、后冷结晶热焓之差表示结晶量,则结晶时间和温度之间存在变换关系,该关系作者已用多元线性回归技术求得。此外,还发现高速的在各个特征温度结晶后的反式指数(Itrans)与冷结晶热焓(△HTc)之间的函数关系,恰好与原纤维的冷结晶峰上各点所表征的结晶速率相对应。从而说明在不同温度下PET结构单元中乙二醇的构象变化是影响结晶速率的因素。 相似文献
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为研究空间环境中通用航天器表面覆盖的热控层电磁辐照效应,采用粒子模拟(PIC)和蒙特卡罗(MC)模拟相结合方法,建立了真空环境下电磁辐照航天器热控材料模型,模拟了场致电子发射、次级电子倍增、释气雪崩电离的全过程,并讨论了释气密度对热防护材料表面产生释气电离现象的影响。通过对比不同释气密度下该过程产生的电子和离子情况,获得热防护材料表面释气产生雪崩电离的阈值。模拟结果表明,当铝膜表面气体密度较小时,由于材料表面释气碰撞电离概率偏低而不会发生雪崩电离;只有当释气密度超过阈值时,材料表面释气碰撞电离过程加强,材料表面发生雪崩电离生成等离子体,等离子体吸收电磁波能量,其离子和电子总能量提升,可能对金属铝膜材料造成损伤。 相似文献
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