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利用脉冲激光沉积方法在Si(100)上制备了Cox-C1-x颗粒膜,并研究了其正磁电阻效应.实验结果表明,样品在室温下的正磁电阻效应要远远高于低温下的正磁电阻效应;Co0.02-C0.98样品具有最大的室温正磁电阻效应,在外加磁场B=1T时,其磁电阻率MR=22%;随着Co含量的增加,Cox-C1-x颗粒膜的正磁电阻效应呈减小趋势.样品的MR-B的曲线与传统的多层膜及颗粒膜结构有很大的不同,这一现象表明在实验样品中可能存在着一种新的输运机制. 相似文献
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利用脉冲激光沉积方法在Si(100)上制备了Cox-C1-x颗粒膜,并研 究了其正磁电阻 效应.实验结果表明,样品在室温下的正磁电阻效应要远远高于低温下的正磁电阻效应;Co 0.02-C0.98样品具有最大的室温正磁电阻效应,在外加磁场B=1T时 ,其磁电阻 率MR=22%;随着Co含量的增加,Cox-C1-x颗粒膜的正磁电阻效应呈 减小趋势.样品 的MR-B的曲线与传统的多
关键词:
正磁电阻效应
x-C1-x颗粒膜')" href="#">Cox-C1-x颗粒膜
脉冲激光沉积 相似文献
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