不对称多组分反应

由于多组分反应自身所具有的优势及其在新药发现中的应用,多组分反应特别是不对称多组分反应成为一个非常有吸引力的研究领域。本文从非对映选择性和对映选择性控制两个方面对不对称多组分反应的最新研究进展进行了综述。重点介绍了反应中所使用的催化剂体系及有关反应机理。最后提出了不对称多组分反应研究中存在的一些问题,并对其今后的发展方向进行了展望。     

通过对映选择性质子化实现吲哚的不对称C—H官能团化反应研究

研究了醋酸铑[Rh2(OAc)4]与手性磷酸共催化的芳基重氮乙酸酯对吲哚化合物的不对称C—H官能团化反应,通过对吲哚C—H官能团化反应质子转移机制的研究,提出了通过不对称质子化实现金属卡宾与吲哚的C—H不对称官能团化反应的新策略.通过吲哚C—H官能团化反应氘代实验证明,在金属卡宾对N-烷基吲哚的碳氢官能团化中,质子迁移是一个分子间的反应,需要借助一个"质子梭"试剂完成,因此通过应用"手性质子梭"催化的不对称质子化有望实现反应的对映选择控制.通过选用手性磷酸作为"手性质子梭"实现了吲哚C—H官能团化反应的不对称催化,重氮化合物在醋酸铑的催化下形成金属卡宾,金属卡宾与吲哚反应生成潜手性的离子对中间体,在催化剂量的手性磷酸存在下,质子迁移通过双功能的手性磷酸完成,通过手性磷酸对潜手性的离子对中间体的不对称质子化实现了反应的对映选择性控制.反应给出了优秀的产率(最高可达99%),良好到优秀的对映选择性(最高可达94%ee),且此反应对其他N-芳基和N-硅基吲哚也有良好的反应兼容性.     

Contrasting Transport Performance of Electron-and Hole-Doped Epitaxial Graphene for Quantum Resistance Metrology

Epitaxial graphene grown on silicon carbide(Si C/graphene) is a promising solution for achieving a highprecision quantum Hall resistance standard. Previous research mainly focused on the quantum resistance metrology of n-type Si C/graphene, while a comprehensive understanding of the quantum resistance metrology behavior of graphene with different doping types is lacking. Here, we fabricated both n-and p-type Si C/graphene devices via polymer-assisted molecular adsorption and conducted systematic...