强磁场、宽温区冲(4.2-300K)离子注入GaAs霍耳测磁探头

本文介绍用于强磁场、宽温区(4.2—300K)St~+离子注入高线性GaAs霍耳测磁探头。室温下,磁通密度B=0—1T和B=0—2.5T,磁线性度α分别≤±0.05％和≤±0.25％;4.2K,B=0一7T,磁线性度≤±0.5％;测磁的空间分辨率<0.7mm。