基于无机电荷产生层的量子点电致发光器件EI北大核心CSCD

利用WO_(3)/ZnO作为电荷产生层(CGL)制备了具有倒置结构的量子点电致发光器件(QLED),相比于传统的基于单层ZnO作为电子传输层的QLED,利用CGL-QLED的电流效率提高了近30%。这主要归因于CGL的电子注入具有电场依赖特性,从而使得器件中的电荷注入更加平衡,提高了激子的形成效率,抑制了载流子导致的猝灭过程。此外,我们通过瞬态电致发光光谱技术及电容特性测试,分析了基于CGL的QLED的器件工作机制,发现CGL中可以存储大量的载流子,从而使得器件在脉冲电压驱动时出现发光过冲现象。其环境稳定性也与常规的基于ZnO的器件一致。而由于CGL独特的电荷产生机制,使得其不依赖于电极功函数特性。我们相信,这种器件结构在改善器件稳定性及良率方面有着巨大潜力。     

Sputtered gold nanoparticles enhanced quantum dot light-emitting diodes

Surface plasmonic effects of metallic particles have been known to be an effective method to improve the performances of light emitting didoes.In this work,we report the sputtered Au nanoparticles enhanced electroluminescence in inverted quantum dot light emitting diodes(ITO/AuNPs/ZnMgO/QDs/TFB/PEDOT:PSS/Al).By combining the timeresolved photoluminescence,transient electroluminescence,and ultraviolet photoelectron spectrometer measurements,the enhancement of the internal field enhanced exciton coupling to surface plasmons and the electron injection rate increasing with Au nanoparticles’incorporation can be explained.Phenomenological numerical calculations indicate that the electron mobility of the electron transport layer increases from 1.39×10~(-5)cm~2/V·s to 1.91×10~(-5)cm~2/V·s for Au NPs modified device.As a result,the maximum device luminescence is enhanced by 1.41 fold(from 14600 cd/cm~2to 20720 cd/cm~2)and maximum current efficiency is improved by 1.29 fold(from 3.12 cd/A to 4.02 cd/A).     

位移电流测试方法的改进及应用

自从麦克斯韦第一次提出位移电流这一概念之后,其在薄膜表征中便得到广泛的应用。然而,在课堂教学中,极少涉及位移电流的测试原理及相关应用讲解,更缺少对其实际应用的介绍。本文从位移电流的测试原理出发,联系实际应用,提出了基于周期性阶跃电压驱动的电流测量(CPSIV)的新方法。这将有效地加深学生对于位移电流物理本质的深入理解。同时,我们以量子点发光二极管(QLED)为平台,对这一新的测试方案进行了实验验证。针对其中空穴传输层薄膜的缺陷特性及其对器件性能的影响进行了表征,揭示了器件的发光开启机制,证实了我们方案的可靠性。     

超低效率滚降顶发射白光有机电致发光器件

利用Ag/tris-（8-hydroxyquinoline） aluminum（Alq₃）/Ag/Alq₃/Ag这一金属/有机半导体多层结构作为阳极,实现了超低效率滚降的顶发射白光器件。在该器件中,我们在蓝光和橙光发光单元之间引入一个薄的4,4′-bis（9-carbazolyl）-2,2′-biphenyl（CBP）层,从而减少橙光发光层与蓝光发光层的Dexter能量传递,用以改善白光器件发光光谱及效率。通过优化微腔设计,实现了对橙光磷光材料发射的调控。最终,我们获得了在60 000 cd/m²亮度下效率滚降仅为17%的顶发射白光器件。在效率方面,虽然顶发射白光器件与底发射白光器件不相上下,但由于微腔效应的存在,顶发射白光器件的效率滚降却远低于底发射白光器件的效率滚降。