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光度法测定铜的显色剂虽然很多,但是选择性好,能在水溶液中直接进行测定的试剂却很少。从铜(Ⅱ)的化学性质来考虑,邻,邻’-二氨基偶氮苯(简称DAAB)可能是光度法测定铜(Ⅱ)的良好显色剂。本文对DAAB的合成方法作了改进,用改进过的方法合成了DAAB;并对Cu(Ⅱ)-DAAB-SDBS-Triton X-100新显色体系作了系统的研究,得到了令人满意的结果。 1.试剂和仪器: DAAB(作者合成):0.04%乙醇溶液。铜标准溶液:将高纯金属铜溶于硝酸,加盐酸除尽硝酸。配成浓度为50μg/ml。 相似文献
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首先介绍了我国严峻的火灾形势,阐明现有气动和火箭发射灭火弹装置的研究现状,针对射程不足、火工品使用限制等问题,提出采用电磁线圈发射器发射灭火弹进行灭火,基于电流丝模型法设计了一种10级线圈发射器模型,以脉冲电容器作为初始能源,采用续流电路对线圈进行时序放电,可将7.2 kg抛体加速至最高速度171 m/s,出口速度154 m/s,发射效率达15%,分析表明现有电磁线圈发射器能够满足灭火弹的发射需要。提出一种智能化无人电磁弹射灭火弹消防系统,智能指挥控制系统利用无人机采集火场信息,制定灭火策略,指挥无人电磁发射灭火车发射灭火弹实现精准高效灭火,根据灭火效能评估结果调整灭火方案,直至完成灭火任务。 相似文献
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用作为基体改进剂的含有氯化钯、Triton X-100及硝酸的混合溶液将全血样品稀释10倍,分取部分经稀释后的试液直接进样,按选定的仪器工作条件进行石墨炉原子吸收光谱法测定,此方法的检出限(S/N=3)为5.4 μg·L-1.应用此方法分析了一级国家标准物质(编号为GBW 09139e及GBW 09140e),测得结果与证书值相符,测定值的相对标准偏差(n=6)在1.2%~3.2%之间. 相似文献
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High-Quality InSb Grown on Semi-Insulting GaAs Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition for Hall Sensor Application 下载免费PDF全文
High-quality InSb epilayers are grown on semi-insulting GaAs substrates by metalorganic chemical vapor deposition using an indium pre-deposition technique. The influence of Ⅴ/Ⅲ ratio and indium pre-deposition time on the surface morphology, crystalline quality and electrical properties of the InSb epilayer is systematically investigated using Nomarski microscopy, atomic force microscopy, high-resolution x-ray diffraction, Hall measurement and contactless sheet resistance measurement. It is found that a 2-μm-thick InSb epilayer grown at 450℃ with a Ⅴ/Ⅲ ratio of 5 and an indium pre-deposition time of 2.5s exhibits the optimum material quality, with a root-meansquare surface roughness of only 1.2 nm, an XRD rocking curve with full width at half maximum of 358 arcsec and a room-temperature electron mobility of 4.6 × 10~4 cm~2/V·s. These values are comparable with those grown by molecular beam epitaxy. Hall sensors are fabricated utilizing a 600-nm-thick InSb epilayer. The output Hall voltages of these sensors exceed 10 mV with the input voltage of 1 V at 9.3 mT and the electron mobility of 3.2 × 10~4 cm~2/V·s is determined, which indicates a strong potential for Hall applications. 相似文献
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LI Zhan-guo LIU Guo-jun LI Mei YOU Ming-hui 熊敏 LI Lin ZHANG Bao-shun WANG Xiao-hua WANG Yong 《发光学报》2007,28(4):546-550
InSb是制作3~5μm红外探测器的重要材料。在GaAs衬底上外延生长InSb,存在的主要问题在于两种材料间14.6%的晶格失配度,会引入较大的表面粗糙度以及位错密度,使外延材料的结构和电学性能均会受到不同程度的影响。通过系列实验,研究了在生长过程中缓冲层对薄膜质量的影响。利用高能电子衍射仪(RHHEED)得到了合适的生长速率和Ⅴ/Ⅲ比,研究了异质外延InSb薄膜生长中低温InSb缓冲层对材料生长质量以及不同外延厚度对材料电学性质的影响。采用原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线双晶衍射(DCXRD)等方法研究了InSb/GaAs薄膜的表面形貌、界面特性以及结晶质量。通过生长合适厚度的缓冲层,获得了室温下DCXRD半高峰宽为172″,77 K下迁移率为64300 cm2·V-1·s-1的InSb外延层。 相似文献
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