Ⅲ-Ⅳ-Ⅴ族原子掺杂对五元环石墨烯电学性能的影响（英文）

本文基于第一性原理计算研究了一种以五元环作为基本结构单元所构成的碳同素异性体--五元环石墨烯.五元环石墨烯具有准直接带隙的特征.本文讨论了三四五族中的原子替换掺杂五元环石墨烯后对其结构和禁带宽度的影响,其中,硼原子和氮原子掺杂后五元环石墨烯呈现金属特性;硅原子掺杂后的五元环石墨烯结构将在纳米电子器件领域有应用的前景.     

钽掺杂二氧化钛薄膜的光电性能研究

采用脉冲激光沉积法 (PLD), 以石英玻璃为衬底制备了钽掺杂TiO₂薄膜并研究了薄膜样品的光电性质. 沉积氧气分气压从0.3 Pa变化到0.7 Pa时薄膜样品的帯隙变化范围是3.26 eV到3.49 eV. 通过测量电阻率随温度的变化关系确定了薄膜内部的主要导电机理. 在150 K到210 K温度范围内, 热激发导电机理是主要的导电机理; 而在10 K到150 K范围内; 电导率随温度的变化复合Mott的多级变程跳跃模型 (VRH); 在210 K到300 K范围内, 电阻率和exp(b/T)^1/2呈正比关系. 关键词： 2')" href="#">Ta掺杂TiO₂ 脉冲激光沉积法 薄膜 导电机理     

超导-介质型Fibonacci光子晶体的透射谱与滤波特性分析

目前广泛应用的可调谐光滤波器通过调节干涉腔长度来实现波段的调谐。它需要制备高反射悬浮膜,而悬浮膜在驱动电压的影响下其运动会受到限制,且较窄的透射峰与较大的调谐范围二者不可兼得。为此,本文将光子晶体中的其中一种介质以超导材料取而代之。基于超导理论,利用传输矩阵法对一维超导-介质型Fibonacci光子晶体的透射谱进行了计算,讨论了厚度、折射率以及温度对透射谱的影响。结果表明,受光子带隙的影响,超导体的频率禁带中会出现一系列的通带;Fibonacci等级的增加会导致第一透射峰更加尖锐;介质层光学厚度增大、超导层厚度减小、温度升高均能使透射峰向长波方向移动。最后,在透射谱分析的基础上给出了结构为S11(S5)n的滤波特性,兼顾透射峰半高宽与可调谐范围,确定了滤波器的可调谐波段,在无需调整任何几何参数的条件下实现了温控调谐。     

Ni/W金属超晶格中的反常阻温特性

在室温到１５Ｋ范围内我们对Ｎｉ／Ｗ金属超晶格的输运性质进行了测量。随温度的降低，反常的电阻跳跃被发现，这种现象被归因子Ｎｉ／Ｗ超晶格样品从晶态到非晶态的结构相变。温度降低时，样品界面处的原子无序度增大，当这种无序积累到一定程度时样品发生从晶态到非晶态的结构相变。     

Rectification effect in asymmetric Kerr nonlinear medium

Based on the transfer matrix method, the recursion of an electromagnetic wave propagating in an asymmetric Kerr nonlinear medium is analytically formulated, from which the rectification effect is clearly presented. The effects on the rectification regioh of the linear part and nonlinear coefficient of permittivity are both studied, and the energy densities before and after rectification are discussed. We use a rectifying factor to describe the intensity of the rectification effect. The result shows that every transmission peak is divided into two parts when the symmetry is broken, and nonlinear asymmetry has a more significant effect on the rectification effect than the linear asymmetry. The rectification intensity and area will be enlarged when the asymmetry factor is increased in a certain range.     

三四五族元素掺杂对五元环石墨烯电学性能的影响

本文基于第一性原理计算研究了一种以五元环作为基本结构单元所构成的碳同素异性体--五元环石墨烯。五元环石墨烯具有准直接带隙的特征。本文讨论了三四五族中的原子替换掺杂五元环石墨烯后对其结构和禁带宽度的影响。其中,硼原子和氮原子掺杂后五元环石墨烯呈现金属特性;硅原子掺杂后的五元环石墨烯结构将在纳米电子器件领域有应用的前景。