金属中点缺陷的电子结构和缺陷谱

本文以胶体模型为基础,利用密度冷函理论和局域密度近似研究了过渡金属Cr,Fe,Ni和贵金属Cu中空位型缺陷、氢杂质、空位-杂质复合体的电子结构以及以正电子湮没寿命表征的缺陷谱。表明了用正电子湮没寿命谱研究金属点缺陷电子结构和缺陷尺度大小的可行性。 关键词：     

H,He,Kr杂质在过渡金属和贵金属中的行为

本文以胶体模型为基础,利用密度泛函理论,局域密度近似研究了H,He和Kr在过渡金属Ni,Fe,Cr和贵金属Cu中的空位团复合体的电子结构、正电子湮没寿命。结果表明:随着复合体尺寸的增加,杂质的束缚态电子能级变浅,散射态电子在复合体内的平均密度变小,正电子在复合体内的几率增大,正电子湮没寿命增加。 关键词：