AlB2的状态方程

在用LMTO方法计算A1B     

AlB2的状态方程

在用ＬＭＴＯ方法计算ＡｌＢ_２的电子结构及其高压下变化的基础上,计算了Ｈ（ｘ）函数．计算表明ｌｎＨ（ｘ）与１－ｘ有很好的线性关系,说明有混合键型的化合物ＡｌＢ_２符合Ｖｉｎｅｔ等人提出的固体普适状态方程（ＵＥＯＳ）,并对等温压强与体积关系进行了计算．     

掺杂蓝青铜的低频电压噪声研究

通过对掺杂蓝青铜的低频宽带噪声(BBN)的研究,发现在掺杂样品中杂质和缺陷能大大的加强低频电压噪声,并且噪声的幅度、波形又强烈地与单晶在冷却过程中的初始电流状态有关,从而揭示出电荷密度波的宽带噪声可能来自于样品中宏观缺陷的微观实质。 关键词：