注入Si中的稀土离子Er3+的光学特性

用离子注入方法,将稀土离子Er3+注入到n-Si单晶中,通过对其低温(77K)光致发光光谱的测量,研究其光学特性.结果表明,注入剂量控制在1×1012cm-2～1×1015cm-2范围,退火温度控制在900℃～1100℃时,样品的主要发光峰值位于1.54μm左右.研究了样品的光致发光光谱随注入剂量、退火温度的变化关系,给出峰值在1.54μm附近的未分辨开的谱线的半宽为16.4meV.     

稀土铒离子注入多孔硅的发光

稀土离子Ｅｒ注入多孔硅中．在３５０ｋｅＶ能量，１×１０（１２）～１×１０（１５）／ｃｍ２剂量范围内，注入后的多孔硅仍保持明亮的可见光发射．退火后，在近红外区测到１．５４μｍ附近Ｅｒ（３＋）的特征发射．其发射强度比硅单晶对照样品明显增强，实验表明这增强作用来源于多孔硅的表面发光层．电化学制备过程中在表面层中带入的Ｏ、Ｃ、Ｆ等多种杂质可能是Ｅｒ（３＋）发光增强的原因．     

Er离子注入GaP,GaAs, InP的二次离子质谱(SIMS)的研究

近年来掺稀土元素的Ⅲ—Ⅴ族化合物研究在基础物理和器件应用方面都越来越引起人们的关注,[1,2]其中又由于Er3+的4I13/2—4I15/2的特征发光波长为1.54μm,恰好对应于石英光纤的低损耗区,且离子注入技术简单易行,因而倍受重视.国际上已报道了不少有关Er注入Ⅲ—Ⅴ族化合物的研究,大多选用较低的注入剂量(约1012～1014Er/cm2),而对较高剂量的注入有待于进一步研究.     

溅射而成的In_(2-x)Sn_xO_(3-y)高导电性透明薄膜

用直流二极管溅射淀积法获得TIn_(2-x)Sn_xO_(3-y)的高导电性透明膜。溅射气体用Ar,O_2,N_2,Xe和O_2-Ar混合气。利用In_2O_3/SnO_2不同比率的靶溅射,得到的最好结果是以纯Ar或纯Xe作溅射气体和用含9—13克分子百分比(m/o)SnO_2的靶。达到的最低膜电阻率为1.77×10~(-4)欧姆——厘米(ohm-cm),而一般膜的电阻率是3×10~(-4)ohm-cm左右。发现用溅射气体流量很低时(10~(-2)—10~(-1)乇升/秒)对生长缺氧的薄膜是必须的。不同密度(多孔性)的靶对还原的敏感性不同。因而,溅射条件决定于靶的密度。这种膜具有良好的附着性,耐清洗、加热、磨光和粘接,不易损坏。它们可以用标准的光刻技术在加热酸中腐蚀以刻出电极的几何形状。将膜暴露在500℃空气中以后,会使它在室温时的电阻增加三倍。溅射膜的面电阻为1.6ohm/平方。在500毫微米(nm)波长时,光透射率为73％,反射率为14％。加适当的抗反射层,做成具有超过97％光透射率、5—7ohm/平方的膜似乎是可行的。     

Er注入Si的芦瑟夫背散射和发光研究

用芦瑟夫背散射和光致发光研究了Ｅｒ注入Ｓｉ的退火性能。ＲＢＳ分析表明，退火时，损伤层再结晶的同时伴随着Ｅｒ向表面迁移。退火后，Ｅｒ浓度峰的深度与表面剩余损伤层的深度是一致的。Ｅｒ在Ｓｉ中主要占据非替位。大量间隙Ｅｒ的存在延缓了损伤层的再结晶。在７７Ｋ观察到了与Ｅｒ有关的位于１．５４６μｍ的ＰＬ。