A memristor oscillator based on a twin-T network

A novel inductance-free nonlinear oscillator circuit with a single bifurcation parameter is presented in this paper. This circuit is composed of a twin-T oscillator, a passive RC network, and a flux-controlled memristor. With an increase in the control parameter, the circuit exhibits complicated chaotic behaviors from double periodicity. The dynamic properties of the circuit are demonstrated by means of equilibrium stability, Lyapunov exponent spectra, and bifurcation diagrams. In order to confirm the occurrence of chaotic behavior in the circuit, an analog realization of the piecewise-linear flux-controlled memristor is proposed, and Pspice simulation is conducted on the resulting circuit.     

含磁控和荷控两种忆阻器的混沌电路设计与仿真

利用惠普实验室荷控和磁控两种忆阻器模型设计了一个五阶混沌电路. 数值仿真结果表明该电路在参数变化情况下能产生Hopf分岔和反倍周期分岔两种分岔行为,并能产生双涡卷、单涡卷、周期态等不同相轨道. 为了验证电路的混沌行为,利用基本元器件设计了惠普实验室荷控和磁控忆阻器模拟器,并将其应用到对所设计电路中进行Pspice仿真,电路仿真结果验证了理论分析的正确性. 关键词： 混沌电路 HP忆阻器 模拟器 Pspice仿真     

一种二次型忆阻器四阶混沌电路

由HP实验室研制的无源忆阻器得到的荷控二次型忆阻器模型,与有源磁控分段线性和三次光滑忆阻器模型相比,更符合实际.利用此模型并基于蔡氏混沌电路演化而来的拓扑对偶结构设计了一种新型忆阻器四阶混沌电路.理论分析、仿真及电路实现表明,该电路具有依赖于忆阻器初始状态的复杂动力学行为,也会产生随时间和系统参数变化的状态转移等非线性动力学现象,在相轨图中出现"涡眼"和"环眼".     

一个通用的记忆器件模拟器

本文根据惠普忆阻器模型提出了一个新的接地忆阻器模拟等效电路.并以此为基础,采用常规的电子元件构建了一个通用的记忆器件模拟器.该模拟器能在电路拓扑结构不变的情况下,通过改变接入元件的性质能将接地忆阻器分别转化为浮地忆阻器、浮地忆感器和浮地忆容器.由于该模拟器是浮地的,因而可以方便的与其他电子器件实现灵活的连接形式.Pspice仿真实验验证了模拟器的真确性和有效性.     

双磁垒中电子的隧穿效应

采用平面波近似数值方法解非均匀磁场中电子的薛定谔方程,计算了在半导体异质结上沉积带状导电薄膜(通有电流)或I型超导材料产生的两种类型的双磁垒体系的电子隧道结构,以及相应的弹射(ballistic)电导,得知这两种体系的电子隧穿情形差异较大,而它们的电导结构却很相似.     

基于电流反馈运算放大器的忆阻混沌电路设计与仿真

将电流反馈运算放大器和四种基本电路元件电容、电感、电阻、忆阻器巧妙结合,设计出一种新型忆阻混沌电路.分析系统的基本动力学行为,如耗散性、平衡点稳定性、相图、Lyapunov指数和参数影响等.数值仿真结果表明,该电路可产生一类特殊的混沌吸引子,且随系统参数的演变可产生丰富复杂的混沌特性.为了验证系统的正确性,设计了实现该系统的仿真电路,Pspice仿真结果验证了理论分析的正确性.     

单驱动混沌测量电路

在参数一定条件下，利用混沌系统的初值敏感性，使系统的混沌轨道随初始值发生变化，通过测量混沌轨道的距离即可测得该小信号，本文提出了一种新的RC振荡器驱动电路，与已有的混沌测量电路相比，它采用一个压控电流源向电容提供正反方向的积分电流，实验结果表明它能改善测量电路的线性度和稳定性。     

Firing activities in a fractional-order Hindmarsh-Rose neuron with multistable memristor as autapse

Considering the fact that memristors have the characteristics similar to biological synapses, a fractional-order multistable memristor is proposed in this paper. It is verified that the fractional-order memristor has multiple local active regions and multiple stable hysteresis loops, and the influence of fractional-order on its nonvolatility is also revealed. Then by considering the fractional-order memristor as an autapse of Hindmarsh-Rose (HR) neuron model, a fractional-order memristive neuron model is developed. The effects of the initial value, external excitation current, coupling strength and fractional-order on the firing behavior are discussed by time series, phase diagram, Lyapunov exponent and inter spike interval (ISI) bifurcation diagram. Three coexisting firing patterns, including irregular asymptotically periodic (A-periodic) bursting, A-periodic bursting and chaotic bursting, dependent on the memristor initial values, are observed. It is also revealed that the fractional-order can not only induce the transition of firing patterns, but also change the firing frequency of the neuron. Finally, a neuron circuit with variable fractional-order is designed to verify the numerical simulations.     

用多项式和阶跃函数构造网格多涡卷混沌吸引子及其电路实现

提出一种利用多项式和阶跃函数构造N×M涡卷的构造方法.利用蔡氏电路,传统的利用多项式函数只能产生双涡卷、三涡卷,在此基础上,通过多项式平移得到相空间x方向的多涡卷,再通过多项式与阶跃函数组合来扩展相空间中指标2的鞍焦平衡点,使得多涡卷向y方向延伸,从而生成网格多涡卷混沌吸引子.该构造方法的主要特征是通过光滑曲线和非光滑曲线的组合生成网格多涡卷混沌吸引子,能通过调整自然数N和M的值实现平面网格任意涡卷混沌吸引子阵列.理论分析、数值模拟和电路仿真证实了方法的可行性. 关键词： 网格多涡卷混沌吸引子 蔡氏电路 阶跃函数 电路实现     

改进型Hénon映射生成混沌伪随机序列及性能分析

提出一种改进传统Hénon映射的方法.该方法通过引入绝对值项改变映射系统的内部结构,大大提高了映射系统的线性复杂度和初值敏感性.利用混沌系统生成伪随机序列,进一步对比分析了映射系统生成的伪随机序列的性能.理论分析和实验仿真表明,改进后的映射系统比原系统生成的序列质量有很大提高,验证了该方法的有效性. 关键词： Hénon映射 伪随机序列 性能分析