电子束共蒸发技术制备高T_cNb-Ge薄膜及其分析

在750—1050℃的基体温度范围内,对Nb-Ge进行了电子束共蒸发实验.在10~(-5)—10~(-6)托压力下,以数埃/秒的沉积速度蒸发于800—950℃的基体上获得了20—21.9K的高临界温度Nb-Ge薄膜.X-射线结构分析表明基本上为A15结构,或者含有少量的其它相.研究了T_(c)与成分、电阻率比以及点阵参数间的关系.发现在较高温度下沉积时,富Ge薄膜往往伴随四方结构T2相存在;相反,在较低温度下沉积时多出现六方结构的σ-Nb_5Ge_3相。基体表面状态对亚稳A15-Nb_3Ge相的形成或有一定的影响.     

用电调制反射光谱的方法确定能带中临界点的位置

本文用通常的仪器和简单的方法,测量了半导体材料的电调制反射光谱,从而确定出能带中临界点的位置。其特点是把半导体二极管作为光电倍增管的负载以自动实现交、直流两种讯号相除的方法,测量了反射的相对调制(ΔR)/(R),并给出了由测量过程本身自洽地确定二极管的有效动态电阻区的方法。     

基于课标与学情的教材分析——以“弧度制”为例

教材是最主要的课程资源之一,是教师进行教学活动的主要依据,是学生进行学习活动的基础.基于课标对苏教版高中数学教材必修第一册“弧度制”一节进行分析,针对教材中的不足:缺乏数学史相关的内容和没有体现弧度制引入的必要性,根据江苏省2019年高中数学青年教师优质课大赛“弧度制”教学设计中相对应的处理,对教材编写提出建议.