p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究

以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应.     

气体放电等离子体特性测量I-V曲线不对称性的研究

利用气体放电双探针法研究了等离子体的I-V曲线中的电流I相对于电压V轴交点的不对称性,并提出2种可能的解释:一认为是由于两探针表面积不同引起的;二认为是由于探针所在处等离子体电位不等引起的.本文利用仪器的工艺误差和调换放电管电压的方法,对提出的2种可能原因分别进行验证,并指出第二种解释的合理性,并对其进行了理论分析.     

稳健偏最小二乘类模型及其在清真香肠红外质量控制中的应用

针对在实际多元质量控制中经常遇到的奇异样品问题,本研究提出了一种稳健偏最小二乘类模型.本方法基于Stahel-Donoho奇异度和样品重加权策略,用稳健的类中心和模型误差构造稳健的决策区间.将本方法用于清真香肠的红外分析,建立了稳健的质量控制方法.在香肠样品的不同部位进行取样,充分研磨后制备溴化钾压片,以空气为背景,测量4000～400 cm-1范围的红外透射光谱.基于73个清真香肠样品和78个非清真样品的光谱数据,研究了新提出的稳健类模型的统计效率和稳健性.在有奇异样品存在的情况下,本方法能有效检出奇异样品,为新样品的预测提供稳健的决策区间.排除奇异样品后,基于原始光谱的模型灵敏性为0.846,特异性为0.936;基于标准正态变量法的模型灵敏性为0.923,特异性为0.974.     

光磁共振实验中双量子跃迁及射频场谐波干扰

由于射频场谐波的存在,致使其二次谐波的共振跃迁与双量子跃迁信号重叠。因此观察双量子跃迁,必须首先排除射频场二次谐波共振的影响,本文分析了光磁双共振实验中关于双量子跃迁产生的条件、判断和观测,并分析了多频率共振的原因。     

用加脉冲梯度场的NMR自旋回波法测量高分子聚合过程中的自扩散系数

通过扩散系数的测量,可以了解高分子聚合反应整个过程的机理,进而控制聚合反应的进程。但能够测量高分子聚合过程中自扩散系数变化的仪器并不多。当前,加脉冲梯度场的自旋回波法被认为是最为有效和实用的方法^[1],此项研究围内尚未报道。     

频闪光照相脉冲氙灯

我们制成一台频闪光照相脉冲氙灯,它具有脉冲功率高、光脉冲短、色温特性好(接近日光)、频闪周期可调范围宽(也可以单次闪光)以及节省能源、使用方便等优点。可用于照相记录物体运动轨道、特技摄影(如运动员的动作分解)或其它摄影时做频闪光源。还可以提供3—30伏稳定直流电压。此灯的频闪周期为10ms至3s,连续可调。频闪状态下,每次输入到氙灯的能量为5焦耳或10焦耳;单次闪光时为50焦耳或100焦耳。