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时间分辨红外发射光谱法对自由基反应的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在过去的 15年中 ,傅立叶变换红外发射光谱法广泛应用于研究气相自由基反应 .Sloan首先研究了O(1D)的反应 ,随后Leone和Hancock研究了O(3 P)的反应 .此后 ,孔繁敖和朱起鹤等研究了小自由基 ,包括CH、CH2 、CH3 、C2 H3 、C2 H5、C2 H、C3 H3 和C3 H5与O2 、NO、N2 O、NO2 等分子的反应。在红外光谱中观察到各个反应的初生产物和初步反应通道 ,和从头算的理论研究结合起来 ,这些反应的机理已基本弄清 . 相似文献
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硫与金属元素所形成的二元团簇具有很多重要的特性,已受到人们的普遍重视.用激光-串级飞行时间质谱仪,我们曾研究了硫与过渡金属钽、铁等的二元团簇.最近我们选取主族金属元素铝,研究了铝硫团簇的形成及其光解,实验结果表明,与钽硫或铁硫团簇相比,铝硫团簇无论在其组份构成还是在其光解方面,都表现出鲜明的特有规律性.实验的主要参数如下:溅射用激光为Nd:YAG 二倍频,其输出强度控制在约10~7W·cm~(-2),激光的重复频率10Hz 样品位于激光束的焦点附近,由焦距f=50cm 的透镜调整其聚焦状 相似文献
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强场化学是一个新的研究领域,分子在强激光场中解离则是该领域中的一个重要课题.本文阐述分子在强飞秒激光场(1013~1014 W·cm-2)中的解离规律以及我们所提出的场致解离(FAD)理论.在模型中我们考虑的是分子离子的解离,而且只考虑那些键轴平行于激光场方向的离子.此模型要求先计算出分子离子的缀饰势能面(Dressed PES),再计算键长随时间变化的准经典轨线(QCT).以甲烷、丙酮为例进行了实验和理论研究,理论计算的结果能很好地阐明观察到的实验结果. 相似文献
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实验光谱学和理论计算都发现,“重原子”能隔离分子中的某些振动能景,如SiH_4中Si—H振动泛频的“局域模”.Roger 等在研究F 原子与M(CH_2CH=CH_2)_4(M=Sn,Ge)的反应中,发现了Sn,Ge 对过剩能量转移到其它部分有强烈的阻碍作用(在中间态的寿命时间内).最近,在研究O(~1D)+M(CH_3)_4生成OH(v)反应中,观测到类似的现象.M=C 时,Lutz 用激光诱导荧光方法检测OH 的振动分布,振动是冷的,v=1与v=0的布居比为0.05, 相似文献
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用时间分辨-傅立叶变换红外发射光谱法研究了OH自由基与CO的反应.OH自由基由248 nm的激光光解硝酸得到.在实验中首次观测到了产物CO2的非对称伸缩振动(ν3)的激发态.对CO2发射光谱的拟合结果显示,其振动态的布居在量子数v=2时最大 ,而最高振动量子数达到v=6.由实验得到的CO2振动布居与Schatz等人用全量子化计算该反应的中间物HOCO解离动力学得到的CO2布居结果能很好地吻合. 相似文献
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有机硅化合物是半导体工业中产生硅元件的基本原料和有机合成中的重要试剂,是多年来大家研究较多的分子体系之一.本文报导了用同步辐射加速器产生的真空紫外光,电离St(CH3hCI。分子.在50-120n-m波长范围内,测量了各种离子产物与真空紫外光波长的关系,推算得它的绝热电离电势和离子中几个化学键的键能.1实验装置和方法本工作在国家同步辐射实验室光化学实验站进行.进行分子真空紫外光电离研究的实验系统已在文献山中详细描述.同步辐射加速器产生的真空紫外光波长用Ne气的电离势标定,其误差<士0-Inln.单色仪的分辨率为河凸… 相似文献
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The photoionization spectroscopy of Si(CH3)3Cl in the range of 50 -130 nm was studied with synchrotron radiation source. The adiabatic ionization potentials of molecule Si(CH3)3Cl and radical Si(CH3)3 are 10.06 ±0.02 eV and 7.00±0.03 eV respectively. In addition, the appearance potentials of Si(CH3)2Cl+, Si(CH3)3+, SiCl+ and SiCH3+ were determined:
AP(Si(CH3)2Cl+) =10.49±0.02eV, AP(Si(CH3)3+) = 11.91 ±0.02eV
AP(SiCl+) = 18.64 ±0.06eV, AP(SiCH3+)= 18.62 ±0.02eV
From these, some chemical bond energies of Si(CH3)3Cl+ were calculated:
D(Si(CH3)2Cl+ - CH3) =0.43 ±0.02eV, D(Si(CH3)3+ - Cl) = 1.85 ± 0.02eV
D(SiCH3+ - (2CH3 + Cl)) = 8.56 ± 0.06eV, D(SiCH3+ - 2CH3) =6.71±0.06eV
D(SiCl+ - 3CH3) = 8.58 ± 0.06eV, D(SiCl+- 2CH3) = 8.15 ±0.06eV
D(SiCH3+- (CH3 + Cl)) =8.13 ±0.06eV 相似文献
AP(Si(CH3)2Cl+) =10.49±0.02eV, AP(Si(CH3)3+) = 11.91 ±0.02eV
AP(SiCl+) = 18.64 ±0.06eV, AP(SiCH3+)= 18.62 ±0.02eV
From these, some chemical bond energies of Si(CH3)3Cl+ were calculated:
D(Si(CH3)2Cl+ - CH3) =0.43 ±0.02eV, D(Si(CH3)3+ - Cl) = 1.85 ± 0.02eV
D(SiCH3+ - (2CH3 + Cl)) = 8.56 ± 0.06eV, D(SiCH3+ - 2CH3) =6.71±0.06eV
D(SiCl+ - 3CH3) = 8.58 ± 0.06eV, D(SiCl+- 2CH3) = 8.15 ±0.06eV
D(SiCH3+- (CH3 + Cl)) =8.13 ±0.06eV 相似文献