电子束辐照硬铝产生热击波及层裂的估算

 本文对LY-12铝受到强流低能相对论电子束辐照时产生的热击波及层裂效应进行了估算。在预估中等能量沉淀产生材料的动态响应时必须适当地考虑熔化过程。我们所用的状态方程是GRAY三相状态方程，它对熔化区域中的金属作了详细且在热力学上更为完善的描述。将计算值同实验结果进行比较表明，二者基本上是一致的。     

BaTiO3铁电体中辐射位移效应的分子动力学模拟

运用基于壳模型的分子动力学方法研究了BaTiO₃铁电体中的辐射位移效应.采用O原子作为初级击出原子,模拟了当初级击出原子能量为1 keV时体系内缺陷的产生和演化.模拟结果表明,当入射方向为[001]时,体系内产生的缺陷最多.在所有缺陷中,以O缺陷的含量为最高,达80%以上.同时,这些缺陷的产生并不显著改变体系的自发极化强度,对体系的极化翻转过程也基本没有影响.在外电场作用下,观察到了显著的缺陷迁移. 关键词： 分子动力学 3铁电体')" href="#">BaTiO₃铁电体 辐射位移效应     

金属基陶瓷复合材料的激光热冲击破坏效应

 研究了激光热冲击条件下静态受拉Sic颗粒增强6061铝合金材料的热断裂行为。热冲击用的激光束的脉宽分别为1.0ms和250μs, 激光束辐照在缺口的根部附近。对于热冲击下裂纹的产生及扩展进行细致的宏、微观观察,发现裂纹的产生和扩展的机制是不相同的。     

THE ANALYTICAL STUDY ON THE LASER INDUCED REVERSE－PLUGGING EFFECT BY USING THE CLASSICAL ELASTIC PLATE THEORY（Ⅰ）－TEMPERATURE FIELDS

ＴＨＥＡＮＡＬＹＴＩＣＡＬＳＴＵＤＹＯＮＴＨＥＬＡＳＥＲＩＮＤＵＣＥＤＲＥＶＥＲＳＥ－ＰＬＵＧＧＩＮＧＥＦＦＥＣＴＢＹＵＳＩＮＧＴＨＥＣＬＡＳＳＩＣＡＬＥＬＡＳＴＩＣＰＬＡＴＥＴＨＥＯＲＹ（Ⅰ）－ＴＥＭＰＥＲＡＴＵＲＥＦＩＥＬＤＳＺｈｏｕＹｉｃｈｕｎ...     

THE ANALYTICAL STUDY ON THE LASER INDUCED REVERSE－PLUGGING EFFECT BY USING THE CLASSICAL EIASTIC PLATE THEORY（I）─TEMPERATURE FIELDS

ＴＨＥＡＮＡＬＹＴＩＣＡＬＳＴＵＤＹＯＮＴＨＥＬＡＳＥＲＩＮＤＵＣＥＤＲＥＶＥＲＳＥ－ＰＬＵＧＧＩＮＧＥＦＦＥＣＴＢＹＵＳＩＮＧＴＨＥＣＬＡＳＳＩＣＡＬＥＩＡＳＴＩＣＰＬＡＴＥＴＨＥＯＲＹ（Ｉ）─ＴＥＭＰＥＲＡＴＵＲＥＦＩＥＬＤＳＺｈｏｕＹｉｃｈｕｎ...     

外延压应变对BaTiO_3铁电体抗辐射性能影响的分子动力学研究

采用基于壳模型的分子动力学模拟方法,研究了存在外延压应变时BaTiO3铁电体的辐射位移效应,以O原子作为初冲原子(primary knock-on atom,PKA),能量为1 keV,方向为[001],分别计算了外延压应变为0,0.4%,0.8%,1.2%,1.6%,2.0%时体系的缺陷数量、分布,以及辐射前后的极化强度,比较了压应变为2%以及无应变下损伤区域、缺陷离位距离和反向外电场下PKA的迁移距离.结果表明,随外延压应变增加体系极化近似线性增加,辐射后极化降低幅度降低、缺陷产生的数量有所减小,2%压应变存在时缺陷原子的离位距离、PKA在反向外电场作用下的迁移距离和损伤区域都小于无应变的情况,说明外延压应变的存在对辐射造成的晶格损伤具有抑制作用,对辐射损伤具有改善作用,可以通过引入外延压应变来调控BaTiO3的辐射损伤.     

材料学科的迅速发展对固体力学提出的挑战－中国科协青年科学家第96次论坛会议简介

2005年5月21日～23日,“青年科学家论坛”第96次活动在湖南湘潭盘龙山庄举行,包括3名院士、20名“长江学者”特聘教授或者国家杰出青年基金获得者等共39名青年科学家和政府官员共同探讨“材料学科的迅速发展对固体力学提出的挑战”．本次论坛由中国科协主办、中国力学学会和湘潭大学共同承办,执行主席由清华大学方岱宁教授、同济大学仲政教授和湘潭大学周益春教授共同担任．中国科学院白以龙院士,哈尔滨工业大学杜善义院士、     

热－塑变形局部化的有限元分析及其对激光破坏效应的应用

本文给出了热力耦合的热弹粘塑性材料的有限元分析方法，并讨论与之相关的时间积分算法，为改善线性插值函数所引起的不协调性及提高运算速度，应力协调迭代理论被引入相应的算法及程序中，最后对非绝热过程中热－塑变形局部化及激光诱导的剪切变形集中进行了数值模拟，其结果与理论分析有良好的吻合．     

THE ANALYTICAL STUDY ON THE LASER INDUCED REVERSE－PLUGGING EFFECT BY USING THE CLASSICAL ELASTIC PLATE THEORY（II）──REVERSE－BULGE MOTION

ＴＨＥＡＮＡＬＹＴＩＣＡＬＳＴＵＤＹＯＮＴＨＥＬＡＳＥＲＩＮＤＵＣＥＤＲＥＶＥＲＳＥ－ＰＬＵＧＧＩＮＧＥＦＦＥＣＴＢＹＵＳＩＮＧＴＨＥＣＬＡＳＳＩＣＡＬＥＬＡＳＴＩＣＰＬＡＴＥＴＨＥＯＲＹ（ＩＩ）──ＲＥＶＥＲＳＥ－ＢＵＬＧＥＭＯＴＩＯＮ￥(周益春，...     

Single event effect in a ferroelectric-gate field-effect transistor under heavy-ion irradiation

The single event effect in ferroelectric-gate field-effect transistor （FeFET） under heavy ion irradiation is investigated in this paper. The simulation results show that the transient responses are much lower in a FeFET than in a conventional metal-oxide-semiconductor field-effect transistor （MOSFET） when the ion strikes the channel. The main reason is that the polarization-induced charges （the polarization direction here is away from the silicon surface） bring a negative surface po- tential which will affect the distribution of carders and charge collection in different electrodes significantly. The simulation results are expected to explain that the FeFET has a relatively good immunity to single event effect.