两库柏对相互作用问题的研究

在文中给出了库柏对的两种不同表达形式。发现用由对算符组成的哈密顿量来计算更方便,用这些对算符对易性质,而不是把它们看成费米子算符的组合产物。这样一来,研究的库柏对相互作用问题也把库柏对看成对算符。文中解决了两个库柏对相互作用问题,并讨论了推广到多库柏系统的情况。     

超声波海水淡化装置的设计研究

针对我军海防士兵淡水补给困难的问题,以超声雾化为基础,结合半导体冷凝技术,提出了一种超声波海水淡化装置的设计思路.并利用Multisim和Matlab仿真软件研究了超声波发射器振荡频率与雾化水雾中盐度之间的关系,为相关设备的后续研制提供了可靠的理论依据.     

新型取代芳脲磺酰基苯氧丙酸酯的合成及除草活性

以α-对氯磺酰基苯氧基丙酸酯为原料,经氨化、甲酰化和胺解反应,合成了10个新型的取代芳脲磺酰基苯氧丙酸酯(4a~4 j),其结构经1H NMR,IR和元素分析确证。生测结果表明,4a~4 j均有一定的除草活性。     

~4He超流密度分布研究

一种密度泛函理论用来研究当4He超流体流速u超过朗道临界流速vc时的不稳定性。发现有稳定的周期性密度波出现,其振幅正比于(u-vc)1/2,其波矢与旋子波矢一致。同时对纳米管道内氦流体进行了计算。     

TiO_2纳米棒阵列微结构对全固态PbS量子点敏化太阳电池光伏性能的影响

利用水热法通过改变生长时间,成功地在透明SnO_2:F导电玻璃/TiO_2致密层基底上制备了三种长度、直径、面密度分别为460 nm、40 nm、340μm-2,630 nm、44 nm、330μm~(-2),720 nm、50 nm、320μm~(-2)的TiO_2纳米棒阵列,并通过旋涂辅助连续离子层吸附反应法制备PbS量子点、以spiro-OMe TAD为固态电解质,组装了全固态PbS量子点敏化TiO_2纳米棒阵列太阳电池,系统研究了TiO_2纳米棒阵列的微结构对PbS量子点的沉积和相应太阳电池光伏性能的影响。结果表明,基于TiO_2纳米棒阵列长度为460 nm、630 nm、720 nm微结构的太阳电池,其光电转换效率分别是2.17%、2.96%和2.74%。     

阴离子表面活性剂与阳离子的相互作用

用密度泛函理论, 在B3LYP/6-31G水平上, 对十二烷基磺酸盐和羧酸盐阴离子表面活性剂与阳离子(Na+, Ca2+, Mg2+)形成的离子对进行结构优化, 从分子水平上研究表面活性剂与阳离子之间的相互作用. 计算结果表明: 磺酸盐和羧酸盐表面活性剂均采用2:1型, 即极性头中两个氧原子与阳离子发生稳定结合; 在与阳离子结合之前, 表面活性剂分子上的α-亚甲基带有明显的负电荷, 因此将其归为极性头; 但在阳离子电荷诱导下, α-亚甲基转而带有部分弱正电荷, 使极性头范围缩小. 计算也发现, 表面活性剂尾链带有弱正电荷, 使胶束内核带有了部分极性, 利于表面活性剂在溶液中的聚集, 此种极性介于烷烃油相和水相的极性之间.     

Gate-to-body tunneling current model for silicon-on-insulator MOSFETs

A gate-to-body tunneling current model for silicon-on-insulator （SOl） devices is simulated. As verified by the mea- sured data, the model, considering both gate voltage and drain voltage dependence as well as image force-induced barrier low effect, provides a better prediction of the tunneling current and gate-induced floating body effect than the BSIMSOI4 model. A delayed gate-induced floating body effect is also predicted by the model.     

一题多解

今天做一道题目,虽然不太难,但仔细钻研下去,竟获得很多种解法,这令我很兴奋.于是写下一时的感受,一一介绍这些解法.     

Ultra-low temperature radio-frequency performance of partially depleted silicon-on-insulator n-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with tunnel diode body contact structures

Radio-frequency(RF) characteristics under ultra-low temperature of multi-finger partially depleted silicon-oninsulator(PD SOI) n-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors(nMOSFETs) with tunnel diode body-contact(TDBC) structure and T-gate body-contact(TB) structure are investigated in this paper.When operating at 77 K,TDBC device suppresses floating-body effect(FBE) as well as the TB device.For TB device and TDBC device,cut-off frequency(f_T) improves as the temperature decreases to liquid-helium temperature(77 K) while that of the maximum oscillation frequency(/max) is opposite due to the decrease of the unilateral power gain.While operating under 77 K,f_T and f_(max) of TDBC device reach to 125 GHz and 77 GHz,representing 8%and 15% improvements compared with those of TB device,respectively,which is mainly due to the lower parasitic resistances and capacitances.The results indicate that TDBC SOI MOSFETs could be considered as promising candidates for analog and RF applications over a wide range of temperatures and there is immense potential for the development of RF CMOS integrated circuits for cryogenic applications.     

图案化石墨烯/氮化镓复合超表面对太赫兹波在狄拉克点的动态多维调制

提出一种基于图案化石墨烯/氮化镓肖特基二极管与类电磁诱导透明超表面集成的新型太赫兹调制器.通过施加连续激光或偏置电压改变异质结肖特基势垒,进而致使石墨烯的费米能级在价带、狄拉克点与导带之间移动,使得异质结的电导率发生变化.在太赫兹时域光谱上表现出透射振幅的增减变化,并观察到在狄拉克点上的调制行为.因费米能级接近狄拉克点,对外加光电激励非常敏感,施加4.9—162.4 m W/cm~2的光功率或者0.5—7.0 V的偏压,调制深度先增加后减小,相位差线性增加,其中最大调制深度达90%,最大相位差为189°,该器件实现了太赫兹波的超灵敏多维动态调制.总之,该图案化石墨烯/氮化镓复合超表面调制器在超灵敏光学设备中存在潜在的应用价值.