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1篇
专业分类
物理学
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2012年
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1
1.
高迁移率InGaAs/InP量子阱中的有效g因子
下载免费PDF全文
魏来明
周远明
俞国林
高矿红
刘新智
林铁
郭少令
戴宁
褚君浩
AustingDavidGuy
《物理学报》
2012,61(12):127102-127102
利用化学束外延法制备了高迁移率的In
0.53
Ga
0.47
As/InP量子阱样品. 在样品的低温磁输运测试中, 观察到纵向磁阻的Shubnikov-de Hass (SdH) 振荡和零场自旋分裂引起的拍频. 本文提出一种解析的方法, 即通过同时拟合不同倾斜磁场下SdH振荡的傅里叶变换谱, 得到有效g因子的大小.
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