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硅基MIS隧道发光二极管为制造用于超大规模集成电路的硅基光器件提供了可能性,报道了MIS隧道发光二极管的制作 过程,电流电压和发射光谱特性,讨论了负阻现象和发光机理。 相似文献
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制备了Au-SiO2-Si结构MIS隧道发光结.测试并分析了该结的发光特性及电流-电压(I-V)特性.指出结的发光是由各膜层界面激发的表面等离极化激元(Surface Plasmon Polariton.SPP)与膜层表面粗糙度相互耦合的结果.观察到MIS结I-V特性中存在的负阻现象,采用SPP对电子的束缚模型对这一现象进行了初步分析.利用原子力显微镜(AFM)对结的表面形貌进行了观测,由此讨论了MIS隧道结的发光与电子在结内的隧穿输运特性之间的内在关系.
关键词: 相似文献
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制备了Cu-Al2O3-MgF2-Au双势垒隧道发光结,分析了结加上一定偏压后的电子隧穿过程.指出由于构成隧道结的绝缘栅薄膜的厚度及禁带宽度的不同而导致双势垒中能级产生分裂,使电子通过栅区时产生共振隧穿现象.根据这一现象,并结合结的I-V特性,对结的发光性能进行了讨论.这种结构的结与普通单势垒MIM结相比,其发光效率(10-6—10-5)提高了近一个数量级,且发光光谱的波长范围及谱峰均向短波长方向
关键词: 相似文献
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稀土元素Dy在MIM隧道结发光中的作用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
制备了掺稀土元素Dy的MIM隧道发光结,得到结的发射光谱、伏安特性及对各层膜的成份分析,结果显示Dy元素的加入提高了MIM结的发光强度.讨论了Dy元素在提高MIM隧道结的发光效率中所起的作用. 相似文献
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