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1.
一类含时滞的反应扩散方程的周期解和概周期解 总被引:19,自引:2,他引:17
本文研究一类含时滞的反应扩散方程和方程组.应用单调方法得到了这类方程存在周期解和概周期解一些充分条件. 相似文献
2.
提出了一种求解自治非线性常微分方程周期解的方法-谱展开法,它直接把解形式上写成Fourier级数,其频率和各谐波成份待定,而将原非线性微分方程问题变换成求解相应的非线性代数方程组,还以avn der Pol方程和神经元群平均场方程为例对该方法进行说明和讨论。 相似文献
3.
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5.
HPLC-MS/MS技术在中华绒螯蟹硝基呋喃类代谢物残留量检测中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
建立了中华绒螯蟹中硝基呋喃类代谢物残留量的液相色谱-串联质谱检测方法.取均质后的中华绒螯蟹可食部分样品,用盐酸水解组织中蛋白结合代谢物,经2-硝基苯甲醛37℃过夜衍生化,调节pH值至约7.0~7.4后,用乙酸乙酯提取,正己烷净化.选用电喷雾离子源,在正离子、多反应监测方式模式下进行定性,以同位素内标法进行定量.方法的检出限为0.5 μg·kg-1,工作曲线的线性范围为1.25~50.0 μg·L-1.在添加浓度为0.5~10.0 μg·kg-1的范围内,AMOZ、SEM、AHD和AOZ的回收率分别在92.8%~106%、84.5%~94.6%、80.6%~98.6%和88.4%~105%之间,相对标准偏差均小于10%. 相似文献
6.
求相同因数乘积的运算叫做乘方;求一个数方根的运算叫做开方。乘方与开方运算可用珠算,亦可用笔算,但运算过程比较烦琐,稍不当心就容易出错,因此答数需要检查,而检查的方式往往复算,甚至多次复算,这是非常乏味的。现介绍一种简捷的"去9余数验算法",不论是多少次乘、开方运算,只要按此法验算, 相似文献
7.
8.
9.
二维光电位置敏感器件的非线性修正 总被引:13,自引:2,他引:11
根据二维光电位置敏感器件 (PSD)的工作原理 ,分析了影响PSD线性度的主要因素 ,提出了一种用神经网络对PSD进行非线性修正的方法。以PSD的输入输出数据对作为样本训练的神经网络 ,利用神经网络所具有地能够以任意精度逼近非线性函数的能力 ,实现PSD的输出与实际光点位置之间的映射 ,在神经网络的输出端得到线性响应。该方法的优点是不需要很大的数据存储量即可得到很好的修正效果。结果表明 ,修正后的PSD能在较宽的位置范围内输出高线性度的信号 相似文献
10.
We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics. 相似文献