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We present an approximate method for calculating the thermoelectric efficiency. The method has a high precision and is applicable to almost all of the thermoelectric devices. The expression for the thermoelectric efficiency we obtained does not involve the position variable, so the calculations are simplified greatly. 相似文献
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1)装置已通过鉴定,由清华大学物理系生产出售. 我们研制了一种结构简单但使用灵活方便的控温装置[1],它可以用于正电子湮没技术,穆斯堡尔谱测量,深能级瞬态谱测量,光学和电学测量等多种实验研究.经过将近三年的实际使用,证明该装置具有控温范围广、控温精度高和操作简便等优点. 一、仪器的结构和性能 该装置由三部分组成: 1.JWK-702可控硅交流调压控温系统,它用于测温和自动控制加热器功率. 2.液氮罐,它的容积为351(图1),用于贮存液氮. 3.冷指系统(图1),它是一个真空室,冷指上盖和底座均采用导热较差的薄壁不锈钢制成,两者之间通过法兰连… 相似文献
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编者按:19 8l年 3月以来,中国金属学会和北京金属学会,中国电子学会和应用磁学学会,北京电子学会分别举办了“新实验技术在材料研究中的应用专题讲座”、“磁性材料微结构分析方法讨论会”和“电子材料和器件显微结构分析技术”讲座。现择其部分报告连同我们收到的有稿件,在讲座栏陆续发表。 相似文献
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用正电子寿命测量方法研究了锆钛酸铅(简称PZT)压电陶瓷的电场极化效应。发现正电子平均寿命τm随极化场强E的提高而增大。讨论了τm增大的微观机制,这可能主要归因于内电场增大在能量上有利于正电子形成qPs态。同时进行了介电常数、机电耦合系数、压电常数等的测量,并与正电子寿命测量的结果作了对比,认为将正电子作为测量电畴转向程度及电子能量状态变化的一种手段是可能的。正电子寿命测量采用了特殊的单样品法,并就与此有关的数据处理和分析方法进行了若干讨论。
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