2006年上海市初中学业考试模拟试卷

一、填空题(本大题共12题,每小题3分,满分36分)1.一个数的立方等于8,这个数是2.因式分解:2x2 4x=3.函数y=3x--x1的定义域为4.如果点P(1,m)在一次函数y=x-6的图像上,那么m=5.请写出8的一个同类二次根式6.方程组xxy =y1=27的解为7.某汽车经过两次降价,由每辆10万元降至每辆8.1万元,那么这辆汽车平均每次降价的百分率为8.如图,在△ABC中,DE∥BC,∠BDE=135°,∠A=80°,那么∠C=度9.在△ABC中,若D、E分别是边AB、AC上的点,且DE∥BC,AD=1,DB=2,则△ADE与△ABC的面积之比为10.已知⊙O1和⊙O2外切,且⊙O1的半径为3cm,两圆的圆心距为…     

气相色谱法测定农药残留量

气相色谱技术的发展,尤其是高灵敏度,高选择性的电子捕获鉴定器和火焰光度鉴定器的出现,以及耐高温固定相相继出现后,对农药残留物的分析也揭开了新的一页。应用气相色谱测定农药残留量的特点是灵敏度高(ppm-ppb 级),分离效率好,速度快,可以同时测定几种或十几种农药残留物,由于上述这些特点,目前气相色谱已广泛地应用于水体、土壤、蔬菜、谷物、水果、肉类、蛋类、奶类等农药残留量的分析,并且获得了满意的结果。目前正在开展农业学大寨群众运动,各条战线都为普及大寨县而做出新的贡献。农药是农作物不可少的有效杀虫剂,并且它又直接关系到人民群众的身体     

煤与生物质混烧灰荷电特性研究

对玉米秸分别与两种煤以不同比例混烧生成的混烧灰进行了荷电特性研究。利用法拉第杯荷电量检测系统和静电低压撞击器(ELPI)测量了混烧灰的总体荷质比及分级荷质比,并借助于成分分析及形貌分析结果讨论了其影响机理。结果表明,随着生物质掺入量在混烧燃料中的增加,混烧灰的成分组成发生变化,使得其介电常数变大,比电阻增大,表面吸附能力增强,从而使混烧灰的总体荷质比有一定的上升趋势。对混烧灰的分级荷质比测量结果表明,排除灰样粒径的影响,生物质的掺入使得混烧灰的荷电能力得以增强,但影响相对较小,颗粒粒径是影响混烧灰荷电能力的主要因素。     

固氮酶的活性中心模型和催化作用机理

固氮酶是怎样在常温常压下摄取空气中的氮,并把它转化为氨的?这是个重大的科学问题。 本文根据固氮酶已知的反应和络合催化原理,讨论了固氮酶的作用机理和活性中心结构。提出了由类立方烷结构的Fe₂S₂·Mo₂O₂八原子簇构成的一对偶联的两钼一铁(2Mo-1Fe)三核活性中心模型,并用以阐明固氮酶各种底物的酶促还原反应机理,包括放氢反应机理,以及CO不抑制放氢反应而对其他底物的酶促还原反应显出竞争性与非竞争性的混合型抑制特征的原因。 提出了二步ATP驱动的电子活化机理,并用以解释ATP/2e^-的比值和不需还原剂的ATP酶促水解。指出了这二步ATP驱动的“电子活化”与绿色植物光合作用中的二步光驱动电子传递的紧密对应关系。     

积木式图形发生器及其图形发生方式

大规模集成电路要求图案复杂、线条细、单元面积大的掩模版,这使人工刻图照相的制版方式远不能满足要求。用计算机自动程序控制光学曝光装置,在感光干版上经过许多次的曝光自动拼合成一个复杂图案,这就是图形发生器自动制版方式。因为大规模集成电路掩模的精度高、图案非常复杂,因此拼图的精度和速度是两项关键问题。     

Electronic Structure of Si1-xⅣx/Si Superlattices on Si （001）

We have preformed systematical ab initio studies of the structural and electronic properties of short-period Si1-xⅣx/Si （x = 0.125, 0.25, 0.5, Ⅳ=Ge, Sn） superlattices （SLs） grown along the [001] direction on bulk Si. The present calculations reveal that the Si0.875Ge0.125/Si, Si0.75Ge0.25/Si and Si0.875Sn0.125/Si are the F-point direct bandgap semiconductors. The technological importance lies in the expectation that the direct gap Si1-xⅣx/Si SLs may be used as components in integrated optoelectronic devices, in conjunction with the already well-established and highly advanced silicon technology.