Mn:ZnSe/ZnS核-壳结构纳米晶的无膦法制备和光学性质

以溶于十八烯的Se作为Se前驱体,在无膦条件下制备得到了具有较高量子产率的Mn:ZnSe纳米晶.为了进一步提高纳米晶的稳定性和发光强度,运用外延生长的方法进行ZnS壳层包覆并得到了具有核-壳结构的Mn:ZnSe/ZnS纳米晶.X射线衍射、透射电子显微镜及吸收和荧光光谱测试结果表明,该方法合成的Mn:ZnSe纳米晶以及核-壳结构Mn:ZnSe/ZnS纳米晶均为闪锌矿结构,具有良好的单分散性,包覆ZnS外壳层后量子产率可达到60%以上.此外,对ZnS壳层厚度和Mn2+的掺杂量对Mn:ZnSe/ZnS纳米晶发光强度的影响及发光机制也进行了初步讨论.     

High speed and wide temperature range uncooled 1.3-μm ridge waveguide DFB lasers

A 1.3-μm wavelength vertical-mesa ridge waveguide mulitple-quantum-well （MQW） distributed feedback （DFB） laser with high directly modulated bandwidth and wide operation temperature range is reported. With the optimization of the strained-layer MQWs in the active region, the surrounding graded-index separated-confinement-heterostructure waveguide layers, together with the optimization of the detuning and coupling coefficient of the DFB grating, high directly modulation bandwidth of 16 GHz at room temperature and wide working temperature range from -40 to 85 ℃ are obtained. The mean time to failure （MTTF） is estimated to be over 2×10^6 h. The device is suitable as light source of high-bit-rate optical transmitters with small size and reduced cost.     

水溶性C60衍生物的电化学合成及光谱分析

通过电化学方法合成一种具有良好水溶性并能在水及空气中长期稳定存在的Ｃ６０衍生物。用电 方法确定了该电解产物带负电荷，红外光谱及近红外光谱的表片，显示该水溶性Ｃ６０衍生物稳定键合的ＯＨ基，所以表现出强亲水性。     

1.3-μm uncooled 10 Gb/s directly modulated MQW AlGaInAs/InP laser diodes

The recent increase of information traffic demands op- tical communication system to operate at 10 Gb/s and above even for local area networks (LAN) and metropoli- tan area networks (MAN). An uncooled high-speed di- rectly modulated laser is a key component for these net- work applications, which is used in optical transceivers in order to reduce cost, size, and power consumption. The key for the high-speed directly modulated lasers is to increase the relaxation oscillation frequency as well…     

CdS量子点与CdSe量子点间荧光共振能量转移研究

在有机相中合成了不同尺寸的CdS和CdSe量子点, 并利用Langmuir-Blodgett (LB)技术将相同尺寸的CdS和CdSe量子点组装成多层复合纳米有序结构. 采用荧光光谱研究了CdS和CdSe量子点在混合体系和多层复合纳米有序结构状态下的荧光共振能量转移(Fluorescence resonance energy transfer, FRET). 我们观察到CdS和CdSe量子点混合溶液与当溶剂挥发形成固态膜中, CdS量子点的荧光强度较溶液状态下强烈猝灭, 表明当颗粒间距离减小时CdS和CdSe量子点间产生较高效率的荧光共振能量转移. 在多层复合纳米有序结构中, 随着给体CdS量子点层数的增加, 单层受体CdSe量子点的荧光逐步增强, 这表明层间纵向能量转移率随给体层数的增加而提高.     

圆柱形人造原子的能级结构及电子几率密度分布

通过求解定态薛定格方程得到了园柱形人造原子的能级结构,进而求出了电子几率密度的分布。计算结果表明,电子被束缚在园柱内的条件与位阱深度Ｖ０及园柱的园柱的结构参数有关。当园柱的高ｈ＝４．００ｎｍ,半径α＝２．７５ｎｍ时,要求Ｖ０≥４．７４ｍｅＶ。在ｚ－轴方向上的电子几率密度分布是以ｈ／２为对称中心周期震荡,并且柱体内外的电子几率的大小是可比较的;而在ｘ－ｙ平面上的电子几率密度分布类似于氢原子,并且柱外     

量子点修饰钛酸钠纳米管及其光电性能

以巯基乙酸为中间体,把CdSe量子点化学修饰在钛酸钠纳米管上,并对其光电性能进行了研究。结果表明：用CdSe量子点修饰以后钛酸钠纳米管在紫外。可见光区有很好的光伏响应,相对于没有进行修饰的钛酸钠纳米管,其光伏响应范围有一定程度的拓宽,并且响应强度也有很大增强。表面光电压谱的研究结果表明：在外部电场的作用下,没有经过修饰的钛酸钠纳米管的表面光电压信号随正电场的增强而增强,随负电场的增强而减弱;而用CdSe修饰过的钛酸钠纳米管的表面光电压响应与此不同,主要表现在其表面光电压信号强度先随正电场的增强而增强,当正电场的强度达到一定值时,部分波谱范围的表面光电压信号继续得到增强,而部分波谱范围的表面光电压信号反而减弱。我们利用漂移机制和扩散机制对这一现象作了解释。     

水溶性C60衍生物的电化学合成及表征

通过电化学方法合成了一种具有良好水溶性并能在水及空气中长期稳定存在的C₆₀衍生物,经电泳实验证实该衍生物带负电荷。红外光谱及近红外光谱显示该水溶物有稳定键合的CO和OH基,所以表现出强亲水性。在可见区(从420nm到700nm)有非常宽的发光谱带,这是由于Jahn-Teller效应以及C₆₀和OH基之间的相互作用引起的。     

无膦方法合成高质量CdSe纳米晶及其光学性质

以合成的十碳酸镉作为Cd前驱体, 十八烯作为单质硒溶剂, 并添加十八胺作为活性剂, 在无三丁基膦或三辛基膦参与的条件下, 以较低温度制备了具有闪锌矿结构的高质量的CdSe纳米晶. 利用吸收光谱、荧光光谱(PL)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)对不同反应时间得到的CdSe纳米晶进行形貌和光谱性质表征. 实验结果表明, 采用该无膦法只需调控反应时间就可得到粒径均一、分散性好的CdSe纳米晶, 其荧光波长可覆盖470-630 nm的可见光区, 而荧光峰半高宽则始终保持在24-30 nm之间并具有较高的荧光量子产率(535 nm处大于60%). 最后, 对CdSe纳米晶量子产率随反应时间变化的原因进行了分析.     

新型两亲性酞菁锌LB膜的制备及其FT—IR结构表征

本文报导了一种新型的两亲性分子－长链对称取代锌酞菁ＬＢ膜的制备和结构特点。研究了其固相和ＬＢ膜的红外光谱。用偏振－付立叶变换红外光谱研究了ＬＢ膜内长脂肪链的取向。