纳米GaSb-SiO2镶嵌复合薄膜的制备及光学性质

用射频磁控溅射技术制备出纳米GaSb颗粒镶嵌在SiO2介质中的复合薄膜.透射电子显微镜观察表明, 纳米GaSb颗粒均匀地镶嵌在SiO2介质中.X射线衍射显示出GaSb (111),GaSb(220) 和GaSb(311)典型的面心立方闪锌矿结构特征.复合薄膜的室温光吸收谱表明,吸收边发生了较大的蓝移,并且,蓝移量随纳米GaSb的颗粒尺寸减小而增大.复合薄膜的室温Raman光谱表明: 薄膜的Raman散射峰较块体材料的有较大的红移和宽化.用量子限域理论和张应力效应对这些现象作了解释.     

纳米GaSb-SiO2镶嵌复合薄膜的制备及光学性质

用射频磁控溅射技术制备出纳米GaSb颗粒镶嵌在SiO₂ 介质中的复合薄膜 .透射电子显微镜观察表明 ,纳米GaSb颗粒均匀地镶嵌在SiO₂ 介质中 .X射线衍射显示出GaSb ( 1 1 1 ) ,GaSb ( 2 2 0 )和GaSb ( 31 1 )典型的面心立方闪锌矿结构特征 .复合薄膜的室温光吸收谱表明 ,吸收边发生了较大的蓝移 ,并且 ,蓝移量随纳米GaSb的颗粒尺寸减小而增大 .复合薄膜的室温Raman光谱表明 :薄膜的Raman散射峰较块体材料的有较大的红移和宽化 .用量子限域理论和张应力效应对这些现象作了解释 .     

Chloride Assisted Growth of Aluminum Nitride Nanobelts and Their Enhanced Dielectric Responses

通过氯化物辅助的气-固生长方法成功地制备出了大量单晶的氮化铝纳米带. X射线衍射、透射电子显微镜以及选区衍射分析表明,所制备的纳米带是纯度高、结构均匀的单晶体,并具有六方的晶体结构. 显微观察表明所获得的氮化铝纳米带没有缺陷,其生长方向为[0001]方向. 测量了产物在50 Hz 到5 MHz范围内的介电频谱,谱图分析表明样品中的界面对样品的介电特性有很大的影响. 室温条件下,与氮化铝微米粉相比,氮化铝纳米带的介电常数高得多,并在低频情况下尤为显著.