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| 纳米GaSb-SiO2镶嵌复合薄膜的制备及光学性质 | |
| 引用本文： | 刘发民,张立德,贾俊辉,姜治.纳米GaSb-SiO2镶嵌复合薄膜的制备及光学性质[J].中国科学A辑,2000,30(1). |
| 作者姓名： | 刘发民 张立德 贾俊辉 姜治 |
| 作者单位： | 中国科学院固体物理研究所,合肥,230031 |
| 摘 要： | 用射频磁控溅射技术制备出纳米GaSb颗粒镶嵌在SiO2介质中的复合薄膜.透射电子显微镜观察表明, 纳米GaSb颗粒均匀地镶嵌在SiO2介质中.X射线衍射显示出GaSb (111),GaSb(220) 和GaSb(311)典型的面心立方闪锌矿结构特征.复合薄膜的室温光吸收谱表明,吸收边发生了较大的蓝移,并且,蓝移量随纳米GaSb的颗粒尺寸减小而增大.复合薄膜的室温Raman光谱表明: 薄膜的Raman散射峰较块体材料的有较大的红移和宽化.用量子限域理论和张应力效应对这些现象作了解释. |
| 关 键 词： | 纳米GaSb颗粒 镶嵌复合薄膜 射频磁控共溅 光学性质 量子限域理论 |
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