首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   5篇
  免费   3篇
化学   2篇
综合类   3篇
物理学   3篇
  2011年   1篇
  2008年   1篇
  1998年   1篇
  1997年   2篇
  1996年   1篇
  1995年   2篇
排序方式: 共有8条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
研究了费米子动力学效应对两胶子、三胶子凝聚的贡献,研究结果表明:随温度升高,胶子凝聚值比未计及费米子动力学效应衰减得更快;并且随着夸克味数的增加,加快衰减.当味数N_f=3时,胶子凝聚消失的温度为T_0≈200MeV。  相似文献   
2.
在有限温度量子色动力学(QCD)瞬子真空模型中,考虑瞬子间的相互作用,应用费曼变分原理和平均场近似,研究了三胶子凝聚的温度依赖性.结果表明:三胶子凝聚随温度升高而衰减,并在T≈3.0Ams时几乎为零,三胶子凝聚的干涉部分与非干涉部分相比可以忽略,低温近似仅在T<60MeV温度区域成立  相似文献   
3.
以SnCl2·2H2O及无水乙醇为原料,利用溶胶-凝胶法(sol-gel)制备了SnO2纳米薄膜.在溶胶中添加了多种添加剂,用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和光致发光谱仪(PL)研究了添加剂对薄膜结构、形貌和光学性质的影响,结果表明氨水的加入能抑制晶粒快速长大,未加入氨水的SnO2薄膜在750 ℃和900 ℃热处理后平均晶粒尺寸分别为23.1 nm和50.5 nm,而加入氨水后的平均晶粒尺寸分别为19.6 nm和42.8 nm;丙三醇(GCR)的添加能抑制团聚和防止深裂痕,使薄膜光滑、平整;表面活性剂聚乙二醇2000、聚乙二醇4000能使薄膜产生空隙和大量孔洞,从而大大增加薄膜比表面积,使之气敏性能显著提高,同时还发现,相同量的聚乙二醇2000和聚乙二醇4000,后者产生的孔洞比前者密;对光致发光性质进行了研究,结果表明聚乙二醇2000的加入使发光强度增大.  相似文献   
4.
以Bi(NO3)3·5H2O、NH4VO3和Mn(CH3COO)2· 4H2O为原料,采用溶胶凝胶法在LaNiO3(LNO)/Si(100)衬底上制备了Bi2 Mn0.1 V0.9O5.35-δ (BIMNVOX.10)薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的晶体结构和形...  相似文献   
5.
在低温Pt/Ti/SiO2/Si衬底上用脉冲准分子激光沉积技术结合氧气氛下700℃退火获得高质量的SBT薄膜,其择优取向为(008)和(115).薄膜厚度约为200nm.铁电性能测试显示较饱和的、方形的电滞回线,其剩余极化和矫顽电场分别为10μC/cm2和57kV/cm,在1010次开关极化后没有显示任何疲劳,在5V直流电压下的漏电流密度约为4×10-8A/cm2,直流击穿电场约为250kV/cm 关键词:  相似文献   
6.
在量子色动力学(QCD)瞬子真空模型中,研究了SUc(2)、SUc(3)规范场论中两胶子凝聚的温度依赖关系.用费曼变分原理和平均场近似方法,发现两胶子凝聚随温度升高而衰减,在T≈4.SAms时,凝聚几乎消失;色磁凝聚和色电凝聚的干涉部分同非干涉部分相比,虽然比较小,但在低温区不可忽略.  相似文献   
7.
杨平雄  邓红梅 《物理学报》1997,46(7):1449-1450
在低温Pt/Ti/SiO2/Si衬底上用脉冲准分子激光沉积技术结合氧气氛下700℃退火获得高质量的SBT薄膜,其择优取向为(008)和(115).薄膜厚度约为200nm.铁电性能测试显示较饱和的、方形的电滞回线,其剩余极化和矫顽电场分别为10μC/cm2和57kV/cm,在1010次开关极化后没有显示任何疲劳,在5V直流电压下的漏电流密度约为4×10-8A/cm2,直流击穿电场约为250kV/cm.  相似文献   
8.
层状钙钛矿结构铁电薄膜SrBi2Ta2O9的掺杂改性研究   总被引:4,自引:1,他引:4       下载免费PDF全文
杨平雄  邓红梅  褚君浩 《物理学报》1998,47(7):1222-1228
研究了Nb掺杂对层状钙钛矿结构铁电薄膜SrBi2Ta2O9(SBT)的改性,分析了其改性机理.利用光声光谱技术对不同含量Nb掺杂SBT薄膜的可见光吸收进行了分析.结果表明掺杂SBT薄膜在580nm处的吸收带随Nb含量的增加发生红移,这暗示掺杂SBT薄膜的能隙与Nb含量有关.对掺杂SBT薄膜的铁电性质研究表明,薄膜的剩余极化值依赖于薄膜中的Nb含量,这与薄膜存在相界有关. 关键词:  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号