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| SrBi2Ta2O9铁电薄膜微结构及其抗疲劳等铁电特性的研究 | |
| 引用本文： | 杨平雄,邓红梅.SrBi2Ta2O9铁电薄膜微结构及其抗疲劳等铁电特性的研究[J].物理学报,1997,46(7):1449-1450. |
| 作者姓名： | 杨平雄 邓红梅 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室 |
| 摘 要： | 在低温Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上用脉冲准分子激光沉积技术结合氧气氛下７００℃退火获得高质量的ＳＢＴ薄膜，其择优取向为（００８）和（１１５）．薄膜厚度约为２００ｎｍ．铁电性能测试显示较饱和的、方形的电滞回线，其剩余极化和矫顽电场分别为１０μＣ／ｃｍ２和５７ｋＶ／ｃｍ，在１０１０次开关极化后没有显示任何疲劳，在５Ｖ直流电压下的漏电流密度约为４×１０－８Ａ／ｃｍ２，直流击穿电场约为２５０ｋＶ／ｃｍ． |
| 关 键 词： | SBT薄膜 微结构 疲劳 铁电特性 铁电材料 薄膜 |
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