重积分和线面积分中的一个典型题目

针对授课班级出错率较高的一道曲面积分题目,给出四种解法.分析出错的原因在于练习不够外,主要是对重积分概念理解不够透彻.     

基于一位全加器三变量逻辑函数的查表综合

通过对1个一位全加器3个输入端不同的组合，可以实现与门、或门、非门、同或门及异或门，因此全加器在数字逻辑电路中有着重要的作用．本文在介绍全加器的基础上提出了用查表法设计基于一位全加器实现任意三变量函数的组合电路和时序电路．在与传统的与非门／或非门的比较中，它显示了优势．     

基于趋势关联遗传算法的系统参数辨识

在利用遗传算法的系统参数辨识中 ,利用了灰色理论中的趋势关联分析方法来构造遗传算法的适值函数 ,在适值函数的选择上兼顾了“接近性”和“相似性”的要求 ,仿真结果证明 ,本方法克服了常规遗传算法容易早熟的缺点 ,取得了满意的效果 .     

垂直电场下扭转双层石墨烯光学吸收性质的理论研究

层间扭转角度是对石墨烯物理性质宽波段可调谐的一个新参量.本文采用2°<θ<15°扭转角度下的连续近似模型,获得了不同扭转角度双层石墨烯分别在有、无电场下的能带结构,通过电子-光子相互作用跃迁速率,计算模拟了范霍夫奇点附近电子带内跃迁和带间跃迁所引起的光学吸收谱.结果表明,在无外加电场时,带间跃迁吸收峰的位置随着扭转角度的增大而发生从红外到可见光波段的蓝移,且吸收系数增大,带内跃迁的光学吸收系数相对于带间跃迁高出2个数量级;而存在外加电场时,两个范霍夫奇点在波矢空间的位置发生偏移,带间跃迁吸收峰发生分裂,且两个分裂的吸收峰位置随着电场强度的不断增大而反向行进.上述研究结果对石墨烯材料在光电器件方面的应用有一定指导作用.     

退火温度对新型有源层WZTO薄膜晶体管性能的影响

通过溶液法制备了新型有源层钨锌锡氧化物(WZTO)薄膜晶体管(TFT),研究了不同退火温度对WZTO薄膜和TFT器件性能的影响。XRD结果表明即使退火温度达到500℃,WZTO薄膜仍为非晶态结构。W掺杂显著降低了薄膜表面粗糙度,其粗糙度均从0. 9 nm降低到0. 5 nm以下;但不影响薄膜可见光透过率,其透过率均大于85%。同时XPS分析证实随退火温度升高,WZTO薄膜中对应氧空位的峰增加。制备的WZTO器件阈值电压由8. 04 V降至3. 48 V,载流子迁移率随着退火温度的升高而增大,开关电流比达到107。     

Enhancement of Frster energy transfer from thermally activated delayed fluorophores layer to ultrathin phosphor layer for high color stability in non-doped hybrid white organic light-emitting devices

Fluorescence/phosphorescence hybrid white organic light-emitting devices(WOLEDs) based on double emitting layers(EMLs) with high color stability are fabricated.The simplified EMLs consist of a non-doped blue thermally activated delayed fluorescence(TADF) layer using 9,9-dimethyl-9,10-dihydroacridine-diphenylsulfone(DMAC-DPS) and an ultrathin non-doped yellow phosphorescence layer employing bis[2-(4-tertbutylphenyl)benzothiazolato-N,C2']iridium(acetylacetonate)((tbt)_2Ir(acac)).Two kinds of materials of 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(Bphen) and 1,3,5-tris(2-Nphenylbenzimidazolyl) benzene(TPBi) are selected as the electron transporting layer(ETL),and the thickness of yellow EML is adjusted to optimize device performance.The device based on a 0.3-nm-thick yellow EML and Bphen exhibits high color stability with a slight Commission International de l'Eclairage(CIE) coordinates variation of(0.017,0.009) at a luminance ranging from 52 cd/m~2 to 6998 cd/m~2.The TPBi-based device yields a high efficiency with a maximum external quantum efficiency(EQE),current efficiency,and power efficiency of 10%,21.1 cd/A,and 21.3 lm/W,respectively.The ultrathin yellow EML suppresses hole trapping and short-radius Dexter energy transfer,so that Forster energy transfer(FRET)from DMAC-DPS to(tbt)_2Ir(acac) is dominant,which is beneficial to keep the color stable.The employment of TPBi with higher triplet excited state effectively alleviates the triplet exciton quenching by ETL to improve device efficiency.     

烯丙位化学键均裂离解能及其取代基效应

使用复合从头算方法系统地获得了一批精确的烯丙位化学键的均裂裂解能(BDE). 取代基效应的研究表明, C—H与Si—H的BDE表现出差的Hammett关系, 而N—H, O—H, P—H与S—H的BDE表现出好的Hammett关系. 进一步分析表明烯丙位BDE受共轭效应比诱导/场效应的影响更为明显. 并且还讨论了BDE的基态效应和自由基效应, 其结果与最近报道的有关苄位BDE的结果基本一致.     

CRM分解图的压缩及其化简

CRM分解图可以用来指导超大规模集成电路的设计和化简.本文在分析应用CRM分解图进行逻辑函数或符合式化简的基础上提出了逻辑函数的降维CRM分解图,给出了降维CRM分解图的定义和图形化简方法.实例表明,该图形方法有直观、简单等特点,它能给出逻辑函数的最简或-符合式,使电路实现比传统设计更简单、更有效.