硫化锌掺钴对电子结构和光学性质的影响

根据密度泛函理论对钴掺硫化锌周围的品格进行了结构优化,计算得到了钴杂质周围的晶体结构、电子态密度分布和吸收光谱.计算结果表明,由于Co原子掺入ZnS晶格常数减小,导致晶格畸变;带隙变窄;吸收峰展宽至更长波长区域.     

四正丁基过硫酸铵氧化裂解2，4-二硝基苯腙衍生物的反应研究

四正丁基过硫酸铵在1,2二氯乙烷溶剂中可高产率地使醛和酮的2,4-二硝基苯腙衍生物氧化裂解成相应的羰基化合物,其分子中碳碳双键,氰基,酯基和缩醛基等基团均不受影响。同时探讨了可能的反应机理和反应溶剂对氧化裂解反应的影响。     

铜薄膜中空位的计算机模拟

使用基于局域密度泛函理论的第一性原理赝势法，对6原子层厚铜薄膜中的空位进行了计算机模拟研究，计算出薄膜表面层、次表层和第三层中空位的形成能分别是0.69，0．82和1．00eV。作为对比，计算得到体材料中空位的形成能是1．04eV。并详细分析了空位近邻原子的驰豫情况。计算所得到结果与实验数据基本一致。