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晶体学
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1.
碲锌镉单晶体的正电子寿命研究
唐世红
赵北君
朱世富
王瑞林
高德友
陈俊
张冬敏
何知宇
方军
洪果
《人工晶体学报》
2006,35(2):306-309
用正电子湮没技术(PAT)研究了原料富Cd改进布里奇曼法生长的碲锌镉单晶样品退火前后的缺陷.刚生长的样品缺陷寿命值较高,其内部存在的点缺陷主要是占优势的Cd空位,用富Cd同成份源Cd1-xZnxTe气氛对样品在不同温度下等时退火后,发现样品的正电子寿命参数对退火温度表现出很强的依赖关系,通过对样品退火过程中空位的迁移、聚集及消失情况分析,得出较适宜的退火温度约为700℃.
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