基于溶胶-凝胶技术的丁氯喘电极

报导了一种以硅钨酸为活性物质 ,用溶胶 凝胶技术制做的新型丁氯喘电极。电极有良好的能斯特响应。斜率为 5 5mV以上 ,线性范围为 1 .0× 1 0 -1～5 .0× 1 0 -5mol L ,检测下限为 2 .0× 1 0 -5mol L ,适宜的pH为 4.2～ 8.7。     

一次性铵离子ISFET的研究

本文报道一种基于四苯硼钠的离子敏感场效应晶体管(ISFET)。并对器件性能的影响因素进行详尽讨论,确立了以邻苯二甲酸二丁酯(DBP)为增型塑剂,器件的性能最佳。ISFET的线性范围为1.0～7.5×10-5mol/L,检出限为6.0×10-5mol/L,斜率为58mV/decade,适宜的pH范围为4.2～8.4。     

场效应管药物传感器

将场效应管与药物敏感膜结合,以硅钨酸或四苯硼钠未转型的定域体试剂为电活性物质的药物传感器.该传感器制作简单,线性范围宽于或检测下限低于文献值.并对器件的影响因素进行了详尽的讨论.     

溶胶-凝胶法修饰的一次性氯离子选择性电极的研究

溶胶-凝胶法(sol-gel)对固定试剂的种类和数量具有可调性,又具有保持性能稳定的潜在优势;一些小分子离子可以自由进出sol-gel的孔径,使得sol-gel基质内外浓度相等,因而可制备化学电极。本文通过正硅酸乙酯[TEOS]在适宜的酸催化下,水解制得电极材料,采用溶胶．凝胶掺杂技术,成功地修饰了新型氯离子选择性电极,这种电极的线性范围和AgCl-AgS2固态膜电极、     

溶胶-凝胶基质修饰的镉离子选择性电极

一种以CdS为活性物质,用溶胶 凝胶技术制作的新型镉离子选择性电极。电极的斜率为29mV/decade,线性范围为1.0×10-1～6.0×10-5mol/L,检测下限为4.5×10-5mol/L,适宜的pH3.2～5.9,并对回收率进行了测定。     

二氧化钛溶胶凝胶膜修饰的维生素B6电极

制备了一种以硅钨酸为定域体试剂,用溶胶-凝胶技术制作的新型维生素B6电极,详尽讨论了电极性能的影响因素。电极斜率为58.0 mV/dec,线性范围为1.0×10-2～4.0×10-6mol/L,检测限为2.5×10-6mol/L。该电极易于批量生产和微型化,用于样品分析,结果令人满意。     

二氧化钛溶胶凝胶基质修饰的DrugFET

制备了一种新型药物敏感场效应晶体管(DrugFET),该器件以四(十二烷基)碘化铵为定域体试剂,利用溶胶凝胶技术研制磺胺嘧啶敏感膜,将敏感膜与FET的延长栅极组装在一起,制成一种新型的化学传感器。敏感器件的线性范围为1.0×10-2~4.3×10-6mol/L,检出限为3.1×10-6mol/L,平均斜率为62.3 mV/dec,适宜的pH范围为1.2~5.6。将DrugFET用于样品分析,样品回收率为95.0%~101.2%,RSD为2.4%。     

溶胶-凝胶法修饰的硫氰酸根离子选择性电极(ISE)的研究

报道了一种基于溶胶-凝胶技术的新型硫氰酸根电极,讨论了电极性能的影响因素.该电极有良好的能斯特响应,斜率为63 mV/pC,线性范围为1.0×10-2～6.0×10-6mol/L,检出限为4.0×10-6 mol/L,适宜的pH范围为3.4～7.1.     

溶胶凝胶法研制辛可宁电极

将Ag/AgCl电极于溶胶-凝胶溶液中反复浸3次以上,在室温静置48 h后在1.0×10-2mol.L-1辛可宁溶液中活化至少12 h即制成新型的辛可宁选择性电极。溶胶-凝胶溶液系将正硅酸乙酯、无水乙醇及0.1 mol.L-1盐酸按一定比例混合后加适量的硅钨酸作为活性物质,搅拌30 min混匀后在室温放置24 h配成。辛可宁电极在pH 6.0~7.0,辛可宁浓度在1.0×10-1~1.0×10-5mol.L-1范围内显示Nernst响应,平均斜率为57 mV/pc,检出限为8.0×10-6mol.L-1。