同轴静电纺丝技术制备ZnO@CeO2纳米电缆

采用同轴静电纺丝技术,以硝酸铈、硝酸锌、聚乙烯吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、甘油和氯仿为原料,制备了ZnO@CeO2 同轴纳米电缆。用差热–热重分析、X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和能谱仪对样品进行了表征。结果表明,所得到的产物为ZnO@CeO2同轴纳米电缆,以晶态CeO2为壳层,晶态ZnO为芯层,电缆直径约90 nm,芯层直径约60 nm,壳层厚度约15 nm,电缆长度>300 μm,对其形成机理进行了分析。     

三层同轴静电纺丝技术制备TiO2@SiO2同轴双壁亚微米管及光催化性能研究

采用三层同轴静电纺丝技术,以钛酸丁酯、正硅酸乙酯、聚乙烯吡咯烷酮、无水乙醇、芝麻油、山梨糖醇酐油酸酯和氯仿为原料,成功制备出TiO2@SiO2同轴双壁亚微米管.用差热–热重分析、X射线衍射、红外光谱仪、扫描电镜、透射电镜和能谱仪对样品进行了表征.结果表明,得到的产物为TiO2@SiO2同轴双壁亚微米管,以非晶态SiO2为外壳,晶态金红石型TiO2为内壁,同轴双壁亚微米管平均直径约680 nm,管壁厚约70 nm、内壁厚约40 nm、外壳厚约30 nm,长度大于20μm,对其形成机理进行了分析.同轴双壁亚微米管对罗丹明B显示了较好的光催化活性.     

同轴静电纺丝技术制备CeO2纳米管及光催化性能研究

采用同轴静电纺丝技术,以硝酸铈、聚乙烯吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺和氯仿为原料,制备了CeO2纳米管。用差热-热重分析、X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和能谱仪对样品进行了表征。考察了CeO2纳米管对罗丹明B溶液的光催化性能。结果表明:所得到的产物属于立方晶系、空间群为O5H-FM3M的CeO2纳米管,CeO2纳米管平均外径约270 nm,内径约110 nm,管壁厚度约80 nm,长度>20μm,对其形成机理进行了分析。相对于CeO2纳米线、纳米带和CeO2颗粒,CeO2纳米管对罗丹明B的降解率有明显提高。