金属中点缺陷的电子结构和缺陷谱

本文以胶体模型为基础,利用密度冷函理论和局域密度近似研究了过渡金属Cr,Fe,Ni和贵金属Cu中空位型缺陷、氢杂质、空位-杂质复合体的电子结构以及以正电子湮没寿命表征的缺陷谱。表明了用正电子湮没寿命谱研究金属点缺陷电子结构和缺陷尺度大小的可行性。 关键词：     

C4H10分子的价电子的结构研究

We report here the measurements of valence electron structure for the n-butane (C4H10) using high resolution (ΔE=0.9 eV FWHM, ΔP=0.1 a.u.) (e,2e) spectrometer. The impact energy was 1200eV plus binding energy (i.e. 1206 to 1232 eV) and symmetric non-coplanar kinematics was employed. The inner-and outer-valence energy spectrum is in agreement with published Photoelectron data. The experimental momentum profiles have been compared with calculations obtained using Hartree-Fock method with the minimum basis set and a high-level basis set, and also using density functional theory (DFT) density methods with a high level basis set. The agreement between theory and experiment for shape of orbital electron momentum distributions is generally good.     

背散射方法研究金属中注入轻离子分布

用能量为MeV量级的α粒子背散射方法测定了大剂量N⁺ (5×10¹⁷ atom/cm²,100keV)注入铁膜(厚约4000?)及铁块(工业纯)的注入离子的浓度-深度分布。由于大剂量杂质的注入,使基体背散射谱出现“凹坑”,提出了一种利用“凹坑”计算杂质分布的方法。 关键词：     

H,He,Kr杂质在过渡金属和贵金属中的行为

本文以胶体模型为基础,利用密度泛函理论,局域密度近似研究了H,He和Kr在过渡金属Ni,Fe,Cr和贵金属Cu中的空位团复合体的电子结构、正电子湮没寿命。结果表明:随着复合体尺寸的增加,杂质的束缚态电子能级变浅,散射态电子在复合体内的平均密度变小,正电子在复合体内的几率增大,正电子湮没寿命增加。 关键词：     

异丁烷分子内价轨道的电子动量谱学研究

在高分辨率电子动量谱仪上首次获得了异丁烷分子 (Isobutane)的结合能谱和动量谱的实验结果 ,并用HF和DFT方法做了理论计算。实验结果与理论计算符合较好。     

精确的甲烷分子价轨道的电子动量谱学研究

电子动量谱学（EMS）已发展成为探测原子分子电子结构的强有力工具．借助电子动量谱学可获得精确的分子轨道电子密度分布，并能提供非常详细的电子运动和电子关联信息．分子电子密度分布和电子运动的详细了解对分子的识别和化学活性的理解非常重要，并且也有助于计算机辅助的分     

异丁烷分子的电子动量谱

电子动量谱学自本世纪六十年代［１］以来,已发展成为探测原子分子的电子结构的强有力工具．借助电子动量谱学可获得精确的分子轨道电子密度分布,并能提供非常详细的电子运动和电子关联信息．有关这方面的理论和实验技术的详细综述可参考文献［２］．到目前为止,运用光电子谱学方法,已对饱和烷烃的价壳层结合能谱进行了广泛的研究［３］,但是用（ｅ,２ｅ）技术仅测量了甲烷［４,５］、乙烷［６］、丙烷［７］、丁烷［８］的价轨道电子动量分布．本文简要报导利用高分辨率（ｅ,２ｅ）谱仪获得的异丁烷分子的结合能谱和动量分布的实验…