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1.
This paper reports that longitudinally oriented CoCrPt thin films with Cr85W15 underlayer and CoCr intermediate layer for use of giant magnetoresistance heads were fabricated by magnetron sputtering. Without CoCr intermediate layer, CoCrPt layer deposited directly on Cr85W15 underlayer which has a dominant (200) texture exhibits unexpected (10\bar {1}1) texture. After introducing CoCr intermediate layer, the CoCrPt layer shifts into (11\bar {2}0) texture. This article studies the crystallographic hetero-epitaxy relationship between magnetic layer and underlayer in order to understand the appearance of CoCrPt (10\bar {1}1) texture on (200) textured Cr underlayer and the influence of CoCr intermediate layer on the inducement of CoCrPt (11\bar {2}0) texture. The CoCr intermediate layer plays a crucial role in controlling the microstructure and consequently the magnetic properties of the overlying magnetic layer.  相似文献   
2.
韦丹  丁文军  周桔  彭端  李明 《化学进展》2009,21(5):896-902
在糖尿病的治疗研究中,体内和体外的研究表明,钒化合物可以降低I型和II型糖尿病血糖,促进葡萄糖转运和糖原合成,具有“类胰岛素作用”。本文综述了近年来钒化合物在降低和改善糖尿病症状的生物效应及其通过胰岛素信号通路在降糖作用的分子机制的研究进展。  相似文献   
3.
The transfer curve of the giant-magnetoresistive (GMR) magnetic head represents its most important property in applications, and it is calculated by the micromagnetic modeling of the free layer and the pinned layer in the heart of the GMR head. Affections of the bias hard magnetic layer and the anti-ferromagnetic pinning layer are modeled by effective magnetic fields. The simulated transfer curve agrees with experiment quite well, therefore the values of these effective magnetic fields can be determined by the model. A synthetic antiferromagnetic spin valve structure GMR head is also analyzed for comparison.  相似文献   
4.
金属颗粒之间的磁场相互作用对金属颗粒磁带的高密度记录性能有显著的影响. 为了有效 地估计该影响,在单畴颗粒的Stoner-Wohlforth模型基础上将新近提出的细观力学相 互作用直推法(Zheng & Du, J. Mech. Phys. Solid. 2001) 推广到非均匀磁记录材料中,得到了磁带宏观性质的率形式解析表达, 能有效地计及颗粒之间的相互作用、颗粒形状的统计分布和体积分数对磁介质性能的 影响. 得到的理论结果与数值模拟和有关的实验观测结果相当一致.  相似文献   
5.
磁信息存储技术的回顾与展望   总被引:1,自引:0,他引:1  
韦丹 《物理》2004,33(9):646-651
文章介绍了磁信息存储技术的发展背景,简述了磁信息存储工业百年来的发展历史,论述了磁信息存储工业中重大的技术进步与物理学、材料学、电子工程学、机械学、计算机学等各个研究领域之间的关系,从而说明高技术工业的发展是多学科共同努力的结果,但应用磁学对于突破磁存储工业发展中的技术瓶颈起到非常核心的作用;文章还讨论了微磁学与磁信息存储技术的发展互相促进的过程,介绍了与磁信息存储技术相关的国际前沿研究进展,并探讨了磁信息存储技术未来的发展有可能对物理学及相关学科的基础研究提出的挑战.  相似文献   
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