硬X射线磁圆二色实验方法的建立

在北京同步辐射装置(BSRF)1W1B光束线和XAFS实验站上国内首次建立了硬X射线波段的磁圆二色实验(XMCD)方法. 以单晶金刚石作为相位延迟片, 在透射劳埃(Laue)模式下, 利用衍射双折射效应, 将入射的单色线偏振光转变为相应的左旋和右旋圆偏振光, 测量磁化样品对左旋和右旋圆偏振光吸收的差异, 获得了XMCD信号. 本实验使用透射方法测量了Pt-Fe合金Pt L_2,3边的XMCD, 获得了XMCD信号. XMCD实验方法的建立, 为研究磁性材料尤其是磁性薄膜材料的电子结构和磁结构提供了实验基础.     

热活化延迟荧光聚合物及其电致发光器件

热活化延迟荧光(TADF)聚合物,不仅具有小分子TADF材料高的激子利用效率特性,而且还具备分子多样性好、可溶液加工、低成本、以及易实现大面积柔性器件等诸多优势,在近几年受到广泛的关注并展现了良好的应用前景。本文从TADF聚合物分子设计原理、器件结构及发光机理出发,依据TADF聚合物的构筑方法不同,概括了其结构设计策略,详述了各种类型TADF聚合物的分子结构和光电性能及其在有机电致发光器件领域应用的研究进展,最后探讨了TADF聚合物存在的问题,并展望了其发展前景。     

La2CaB10O19∶Ce3+在VUV-Vis范围的发光性质研究

通过研究La2CaB10O19∶Ce3+在VUV-Vis范围的光谱, 发现Ce3+在La2CaB10O19中共有两种格位, 分别取代了十配位的La3+和八配位的Ca2+, 从而发射光谱中没有出现特征的双峰, 而出现了峰值约位于307, 330和356 nm的3个发射峰.由于在低对称性晶体场中d轨道的分裂, 激发光谱中位于194, 224, 243, 260, 274和318 nm的峰是由两个格位的Ce3+的f-d跃迁引起的.Ce3+占据两个格位, 可以通过以Eu3+为荧光探针的发射光谱中出现的两个5D0-7F0跃迁得到验证.峰值位于162 nm的激发谱带是基质吸收带, 与基质禁带宽度相对应.通过计算, 不排除其中包含O2-→Ce3+的电荷迁移带的可能性.     

La2CaB10O19∶Eu3+的VUV-VIS范围光谱的研究

研究了La2CaB10O19∶Eu3+红色发光材料的高分辨发射光谱和UV-VUV激发光谱. 根据发射光谱和荧光寿命, 认为进入晶格的Eu3+占据了两种格位, 一种Eu3+占据了与O2-离子十配位的La3+的格位, 另一种Eu3+则占据了与O2-离子八配位的Ca2+的格位. 又从激发光谱的分析中, 得到Eu3+的电荷迁移带(CTB)是峰值位于244 nm的宽带, 而位于130～170 nm之间的成份复杂的宽带包括硼酸盐基质的吸收带和Eu3+的f-d跃迁的结论.     

Ce3+对菠菜D1/D2/Cytb559复合物影响的光谱学研究

从Ce³⁺处理过的菠菜PSⅡ颗粒中纯化出了D1/D2/Cytb559复合物并研究了Ce³⁺对其光谱学性质的影响. 结果表明Ce³⁺处理过的菠菜生长发育改善, PSⅡ颗粒电子传递效率明显加快, D1/D2/Cytb559复合物UV-Vis 谱在Soret区和Q区分别蓝移3和2 nm; 荧光发射峰蓝移5 nm; EXAFS谱表明Ce³⁺已结合到D1/D2/Cytb559复合物上. 推测Ce³⁺已同时参与叶绿素卟啉环中N的配位和多肽氨基酸羧基氧的配位, Ce—N键长为0.253 nm, Ce—O键长为0.32 nm. CD谱表明Ce³⁺结合后其复合物二级结构未发生明显变化. 认为Ce³⁺加强了D1/D2/Cytb559复合物P680⁺原初电子供体的功能, 但对反应中心复合物的构象影响不大.     

激光金属汽化汽离混合区状态参量的稳定性及其影响因素分析

在汽离混合区激光强度时空修正的基础上,近似求解了流体力学模型下的状态参数,找出了稳定状态参数的共同自洽参量,分析了自洽参量的取值方法,研究了相关参数对自洽参量的影响机制,结果发现:(1)汽离混合区内,状态参量的稳定性可用自洽参量的稳定性来表征;(2)当入射激光强度小于108W.cm-2时,自洽参量随入射激光强度变化相对较快,稳定性差;当激光强度大于108W.cm-2时,自洽参量随入射激光强度变化相对较慢,稳定性高;(3)汽离混合区各处的约化自洽参量随辐照激光的波长成变周期增加的变化,波长越长,约化自洽参量越大;(4)要使自洽参量稳定,纹波较小,宜采取短波激光辐照;(5)当蒸汽压强小于2.7×106Pa时,自洽参量随蒸汽压强成指数递减规律变化;当蒸汽压大于2.7×106Pa时,自洽参量与蒸汽压强之间没有对应关系.     

微系统中转矩及电渗流作用下的微粒子电动旋转操控

微粒子的电动旋转操控是表征分散系中微粒子介电特性的有效方法.低雷诺数微系统中,以Maxwell-Wagner极化理论为基础,进行了转矩作用下的微粒子电动旋转机理研究,推导了此机理作用下微粒子电动旋转峰值速度所对应的特征频率,分析了弛豫时间对粒子旋转方向的影响,对转矩作用下的微粒子电动旋转速度进行仿真;以双电层理论为基础,对电渗流导致的微粒子电动旋转机理进行定性分析,提出具有金修饰的粒子表面更适合电渗流作用下的电动旋转研究.分别以羧基修饰的聚苯乙烯微球以及表面被金修饰的聚苯乙烯微球为操控对象,进行电动旋转实 关键词： 微系统 电动旋转 转矩 电渗流     

Gd2SiO5: Eu3+中VUV激发的量子剪裁

在北京同步辐射装置的真空紫外光谱站, 对Gd₂SiO₅: Eu³⁺激发谱、发射谱进行了研究. 基于Gd³⁺-Eu³⁺体系通过能量传递发生可见光量子剪裁的原理, 对实验结果进行了讨论. 当直接激发Gd³⁺的⁶GJ态时, 有2个来自Eu³⁺的可见光光子发射, 粗略的估算表明Gd₂SiO₅: Eu³⁺是一种有效的量子剪裁材料.     

Effect of Ce~(3+) on spectral characteristic of D1/D2/Cytb559 complex from spinach

In our early researches, lanthanum and cerium could enter plant and bind to porphyrin of chlorophyll to form Ln3+-chllorophyll. La and Ce greatly increase photosystem II (PSII) activity and PSII electron transport rate, and the fluorescence emission peaks of PSII are blue-shifted [1—4]. Do REEs coordinate with PSII reaction center complex in vivo? Moreover, do REEs coordinate with D1(30 kD)/D2(32 kD)/Cytb559 (~9 kD) reaction center complex of site of producing pri-mary reaction-p…     

Quantum cutting in Gd2SiO5: Eu3+ by VUV excitation

The emission and excitation spectra of Gd2SiO5: Eu3+ were investigated using the VUVbeam line of the Beijing Synchrotron Radiation Facility (BSRF). The experimental results werediscussed in the frame of visible quantum cutting process involved in Gd3+-Eu3+ system. Upon di-rect excitation into the 6GJ states of Gd3+, two visible photon emissions from Eu3+ were observed.Cursory evaluation proved that Gd2SiO5: Eu3+ is an efficient visible quantum cutter.