Pr6O11对SnO2半导体气敏特性的影响

研究了添加Pr_6O_11的SnO_2半导体气敏元件的气敏特性。在丙酮、乙醇、甲烷、一氧化碳等11种气氛中测量结果表明,元件对丙酮、乙醇具有选择性,Pr_6O_(11)的最佳含量为1.0wt％左右。实验还发现,元件的限定工作温度随着Pr_6O_(11)含量的增加而下降,响应时间和恢复时间缩短,灵敏度随被测气体浓度变化的线性范围相应增大。     

氢敏感钯栅MOS电容

本文介绍了钯栅MOS电容的制作工艺及其对氢敏感的工作原理。采甩高频C—V特性测试法,得到了钯栅MOS电容在吸附氢原子前后的C—V曲线,结果表明,这种元件对氧具有较强的敏感性。最后,对影响结果的一些可能因素进行了简单的讨论。     

热氧化硅内表面薄层的显微观测

采用“磨角—干涉仪法”对热氧化硅的表面进行了显微观测,发现在si—sio2界面附近硅一侧的内表面存在着氧的扩散层,厚度在1,000—2,000埃之间。对于影响表面薄层的工艺因素作了实验性的检测。文中附有实验照片。     

硅芯片多层薄膜折射率的测量

本文介绍一种测量透明薄膜折射率的“磨角—干涉”法。根据光干涉原理,推导了薄膜折射率的表达式n=1+△N1/△N2。此法可用于测量半导体器件和大规模集成电路芯片中的单层或多层膜的折射率。     

Si_3N_4/Si半导体电极的研究

在离子敏感场效应晶体管栅极表面生长一层Si_3 N_6膜,由于该膜的化学性能稳定,介电常数大,所以已广泛用来制作氢离子敏感器件。Lauks等人将Si_3 N_6直接沉积在硅片上,与溶液接触形成电解质-绝缘体-半导体模式的电容,并且测定了不同pH的导纳。本文将这种模式的半导体元件作为电极来研究,测试了     

三组份烧结型气敏元件的研制

烧结型半导体气敏元件的主要材料是 SnO₂、ZnO和γ-Fe₂O₃,虽然三种金属氧化物都是属于n型半导体,但由于各自的晶体和电性能的差异,所以过去人们多以单一组份为母体,掺入少量的添加物和催化剂来制作气敏元件。这三种金属氧化物制作的单组份元件都有不足之处,如SnO₂受湿度影响较大;ZnO的工作温度高、功耗大;而γ-Fe₂O₃虽有不需添加催化剂敏感度很高的优点,但要求高温真空工艺等。本文以这三种氧化物为基本材料,按一定比例混合,采用烧结直热式进行研究,以便获得较佳的组份配比,制成一种不用催化剂,功耗又低、敏感性良好的多组份气敏元件。     

多组份烧结型气体传感器

本文报导了以SnO2、ZnO和γ—F?2O3三种半导体金属氧化物按一定比例混合后作为基体材料制成的气敏元件,实验表明,这种元件对C4H10敏感     

硅内表面氧扩散分布的测量

利用二次离子质谱分析,对氧化硅内表面进行了氧含量的深度分析,结果表明:硅内表面层确实存在着氧扩散层,对于不同的氧化方式制备的样品,氧扩散层厚度不一,氧的纵向浓度分布规律也不同,然而,当扩散层厚度大于峰值位置以后,它们的分布规律变得大致相同。     

AgCl/Si_3N_4膜的制备与应用

本文介绍了在Si3N4膜上制作AgCl膜的三种方法:化学沉积法、真空镀银法和真空沉积AgCl法。实验表明,三种方法制得AgCl膜的性能基本一致。AgCl/Si3N4膜可用来制作离子敏感电极,测量溶液中的Ag+和Cl-离子的浓度,测量范围在10-2～10-5M,但对Ag+离子浓度的测量结果不够理想。