亳桑皮炮制工艺的优化

优选亳桑皮的最佳炮制工艺。以桑根酮C含量为指标,对亳桑皮干燥方法和蜜炙方法进行系统研究。分别于60℃烘干、晒干、阴干、霉变后60℃烘干4种不同干燥方法下对亳桑皮质量进行评价,结果表明,于60℃烘干的亳桑皮中桑根酮C含量最高,亳桑皮采收后应进行烘干处理;采用正交试验,确定亳桑皮的最佳炮制工艺:药材与蜜的比例为4∶1,闷润时间为20 min,在120～150℃温度下中火炒制15 min。采用高效液相色谱法测定所炮制的亳桑皮中桑根酮C的含量,桑根酮C含量在0.73～3.65μg范围内与色谱峰面积呈良好的线性关系,相关系数为0.999 9,方法的检出限为0.001 8 mg/mL。测定结果的相对标准偏差为1.47%(n=6),样品加标回收率为96.75%～100.03%。该工艺稳定可行,重现性好,可为亳桑皮的规范化生产提供科学理论依据。     

温控/光控片上纳米裂结

由于分子尺寸小、可化学合成、与生物组织兼容等显著优点，以有机小分子为核心的单分子器件引起了人们的广泛关注，单分子器件有望成为硅基电子器件的一个重要的互补发展方向。已报道构筑单分子电子回路的大部分方法程序繁琐，且无法在平面基底上实时调控电极间的间距。这项工作采用机械切割结合电化学腐蚀的方法来制作纳米电极，通过控制施加在阴极和阳极之间的电压，并实时监测通过被腐蚀的金线的电流的大小，可以获得针尖状与分子大小匹配的纳米电极。进一步利用热胀冷缩的原理，采用比金的热膨胀系数小很多的材料作为基底，实现了环境温度对电极间距离的调控，即通过改变环境温度实现了可重复操作的电极间的连接及断开。在此温控基础之上，进一步实现了利用光强更为地精密调控电极间的距离，调控的精度可以达到原子级别。实验结果表明，我们制作的温控/光控片上纳米电极无需借助高精尖仪器，就可以实现对电极之间的距离的精密控制，其平面基底构型，为单分子电子器件的研究提供了有助于片上器件集成的新方法。     

From microelectronics to spintronics and magnonics

In this review, the recent developments in microelectronics, spintronics, and magnonics have been summarized and compared. Firstly, the history of the spintronics has been briefly reviewed. Moreover, the recent development of magnonics such as magnon-mediated current drag effect (MCDE), magnon valve effect (MVE), magnon junction effect (MJE), magnon blocking effect (MBE), magnon-mediated nonlocal spin Hall magnetoresistance (MNSMR), magnon-transfer torque (MTT) effect, and magnon resonant tunneling (MRT) effect, magnon skin effect (MSE), etc., existing in magnon junctions or magnon heterojunctions, have been summarized and their potential applications in memory and logic devices, etc., are prospected, from which we can see a promising future for spintronics and magnonics beyond micro-electronics.