ICP-AES法的外加磁场效应

等离子体与一般气体的不同之处就是它的运动受到磁场的影响,当等离子体横越磁力线运动时就会受到磁场的阻力,还会产生电流。发射光谱中常用的等离子体直流电弧的磁场效应已被研究和应用,它在外加磁场(50—400高斯)作用下可增加试样微粒在等离子体中的停留时间,改变激发温度和电子密度及其分布,改变电弧的外形,并使放电稳定,以致谱线强度有明显变化。例如在直流电弧和氩气气氛的情况下,非均匀磁场可使弧温提高780 K,电离度和电子密度也为之增加,钴、镍和锰的谱线强度分别提高到36.8、32.4和7.5倍。在直流电弧中加100高斯的均匀磁场,可使17个元素的谱线增强到1.7—43倍。对于交流电弧也发现了外加磁场的影响。将试液气溶胶喷入交流电弧进行分析时,600高斯的均匀磁场可使放电稳定,弧温增高600K,锰、铬、钼和铁的谱线强度增加到3—5倍。此外用空心阴极光源作光谱分析时,以及在激光微区光谱分析中,外加磁场也能提高灵敏度。但ICP光源的外加磁场效应尚未见报导。     

感耦等离子体发射光谱法测定高纯氧化钇中的痕量稀土元素

本文采用国产WPG-100型一米光栅摄谱仪、GP3.5-D1型高频等离子体发生器、气动雾化器,以不去溶方式进样直接测定纯度为99.995%的氧化钇中十四个稀土杂质元素。其中除镨(17μg/g)和钸(7μg/g)外,测定下限均为0.3-3μg/g(以氧化物计)。当被测元素的含量为3-17μg/g时,相对标准偏差为2.3-7.3%(钸和镨除外)。样品用盐酸溶解,酸度和共存元素的影响很小,方法简便、快速。