一种新型的基于四孔单元光子晶体光纤的设计与分析

设计了一种基于四孔单元的光子晶体光纤,它可以满足光通信系统中高双折射率、负色散和低限制损耗的要求,比起通常的三角结构光纤有着更高的双折射率,并且结构制作也较简单。采用全矢量有限元法和各项异性完美匹配层法对所设计的光纤进行了仿真研究。仿真结果表明:该光纤在1.55μm波长处可获得10~(-2)数量级的双折射率,在较宽广的波段范围具有大的负色散,限制损耗低于10~(-9)dB/m;该光纤在保偏光纤、单极化单模光纤、色散补偿光纤等方面具有重要的应用。     

新型3-烯色满酮拼接季碳氧化吲哚类化合物的合成

以色酮取代氧化吲哚（1）为原料,在有机碱DABCO的催化作用下,进攻3-烯色满酮2的烯键,发生Michael加成反应,然后脱除OBoc基团生成烯键,合成了9个未见文献报道的3-烯色满酮拼接季碳氧化吲哚类化合物（3a～3i）,产率60%～87%,dr值为2:1～5:1,其结构经1H NMR,13C NMR和HR-MS（E...     

基于银纳米线电极-rGO敏感材料的柔性NO2气体传感器

使用银纳米线作为材料制备柔性叉指电极,用还原氧化石墨烯(reduced graphene oxide, rGO)作为气体敏感材料制备出柔性气体传感器,并研究其对二氧化氮气体的响应特性以及柔韧性能.实验结果表明,制备的以银纳米线作为电极的r GO气体传感器可以实现室温下对浓度为5-50 ppm (1 ppm=10^–6)的NO2气体的检测,对50 ppm的NO2的响应能够达到1.19,传感器的重复性较好,恢复率能够保持在76%以上,传感器的灵敏度是0.00281 ppm^-1,对浓度为5 ppm的NO2气体的响应时间是990 s,恢复时间是1566 s.此外,传感器在0°-45°的弯曲角度下仍表现出优异的电学特性与气体传感性能,所制备的器件具有相对稳定的导电性和较好的弯曲耐受性.     

基于香豆素343的荧光探针快速检测亚硫酸根

以香豆素343和2-苯并噻唑乙腈为原料,合成了香豆素343-亚硫酸根离子探针(Coumarin 343-SO₂),并用¹H NMR、¹³C NMR、MS和HRMS等技术手段对合成的化合物进行了表征。 该探针与亚硫酸根离子(SO₃^2-)发生亲核加成反应后,阻断了苯并噻唑与香豆素的共轭结构,从而引起荧光强度的变化,达到检测亚硫酸根离子的目的。 此探针对SO₃^2-具有响应快、高灵敏度、高选择性及检测限低至0.08 μmol/L的特点,其它常见的阴离子及还原性物质对SO₃^2-的检测均无干扰。 此外,该探针具有良好的细胞膜通透性,可用于活细胞中对SO₃^2-进行荧光成像。     

基于石墨烯分子印迹电化学传感器测定芦丁

将石墨烯(GR)滴涂至裸Au电极表面,并以邻氨基酚为功能单体,芦丁为模板分子,制备了芦丁分子印迹膜电化学传感器,利用循环伏安法(CV)和差分脉冲伏安法(DPV)对制得的传感器进行了电化学性能研究,并且对制备条件和测定条件进行了优化。结果表明,与裸Au电极相比,该GR修饰的Au电极在[Fe(CN)_6]~(3-/4-)溶液中峰电流明显增大,显著提高了芦丁分子印迹传感器的灵敏度。在最优实验条件下,基于GR分子印迹电化学传感器在4.40×10~(-6)~2.80×10~(-4) mol/L范围内呈良好的线性关系,检测限为1.46×10~(-6) mol/L。用该传感器测定了黑茶中芦丁的含量,获得较好结果。     

7-溴-4-二氢色原酮的合成新方法

以3-溴苯酚为起始原料,经酰基化、Frise重排及关环反应合成了7-溴苯并吡喃酮(5);5在威尔金森催化剂氯化三(三苯基膦)合铑(Ⅰ)[Rh(PPh3)3Cl]催化下与氢气经加成反应合成了7-溴-4-二氢色原酮(6),其结构经1H NMR和MS确证。合成6的最佳反应条件为:5 0.329 mol,乙醇为溶剂,c(5)=0.4 mol·L-1,4 mol%Rh(PPh3)3Cl为催化剂,在0.3 MPa氢气压力下,于70℃反应20 h,收率79.8%。     

Fabrication Process of Sol-Gel Spin Coating for SrBi2Ta2O9 Films Applied to FeRAM

We investigate SrBi2 Ta2 O9 （SBT） films prepared by the sol-gel spin method with different spin rates or different anneal conditions for the first layer of SBT, as promising ferroelectric layer materials applied to ferroelectric random access memory （FeRAM）. All the specimens in this experiment have similar SBT crystal orientations of （115）, （020）, （220）, and （135）. The Pt/SBT/Pt capacitor with coating of 3000rpm spin rate has a perfect rectangle shape of hysteresis loops, remanent polarization of 7.571μC/cm^2 and coercive voltage of 0.816 V at 5 V voltage amplitude. These characteristics are better than those with coating of 3500rpm spin rate, which is attributed to the influence for thickness and grain size of the film from depressed spin rate. Slow-rate anneal in the furnace for the first layer of SBT can improve the crystallization processes and properties for SBT layers slightly, compared with rapid thermal annealing. The ion damage from etching for the top electrode can influence leakage current characteristics of the Pt/SBT/Pt capacitor at positive voltage bias.