O2的外电场效应研究

本文首先采用多种方法,分别在不同的基组水平下,对O2的几何构型进行了优化,然后用密度泛函(DFT)(b3p86)方法在6-31G(d)基组水平上,在不同的外电场作用下,对O2的平衡结构进行了优化计算.在得到稳定几何构型的基础上,计算和讨论了偶极外电场对O2基态的几何构型、电偶极矩、原子电荷数的分布、振动频率、轨道能级分布等性质的影响.     

密度泛函方法对SiO分子基态(X 1 Σ+)势能函数的研究

利用密度泛函B3P86方法,分别选用STO-3G,D95**,6-311G,6-311 + + G,6-311 + + G**,cc-PVTZ基组对SiO分子基态(X 1 Σ+)进行结构优化计算.通过比较得出,cc-PVTZ基组为对SiO分子基态(X 1 Σ+)进行结构优化最优基组的结论.使用密度泛函B3P86方法,选用cc-PVTZ基组进行单点能扫描,用正规方程组拟合SiO分子基态(X 1 Σ+)的Murrell-Sorbie函数,得到解析势能曲线.最后,由得到的解析势能函数计算了相对应的光谱常数(Be,αe,ωe和ωeχe),并与实验值进行了比较.     

外电场作用下甲基乙烯基硅酮分子结构和电子光谱

采用密度泛函B3P86方法在6-311++G(d, p)基组水平上优化得到了沿分子轴方向不同外电场(0-0.04 a.u.)作用下, 甲基乙烯基硅酮分子的基态电子状态、几何结构、电偶极矩和分子总能量. 在优化构型下利用杂化CIS-DFT方法(CIS-B3P86)研究了同样外电场条件下对甲基乙烯基硅酮的激发能和振子强度的影响. 计算结果表明, 分子几何构型与电场大小呈现强烈的依赖关系, 分子偶极矩μ随电场的增加先减小后急剧增大. 电场为零时, 分子总能量为-483.5532137 a.u., 随着电场增加, 能量升高, 在F=0.02 a.u.时达到最大值-483.5393952 a.u., 此后, 继续增大电场系统总能量则开始降低. 激发能随电场增加急剧减小, 表明在电场作用下, 分子易于激发和离解.     

密度泛函方法对SiO分子基态（X 1Σ+）势能函数的研究

利用密度泛函B3P86方法,分别选用STO-3G,D95^**,6-311G,6-311++G,6-311++G^**,cc-PVTZ基组对SiO分子基态(X¹Σ⁺)进行结构优化计算.通过比较得出,cc-PVTZ基组为对SiO分子基态(X¹Σ⁺)进行结构优化最优基组的结论.使用密度泛函B3P86方法,选用cc-PVTZ基组进 关键词： B3P86 SiO 势能函数 光谱常数     

关于Hermite矩阵的特征

本文主要研究Ｈｅｒｍｉｔｅ矩阵的性质 ,给出了Ｈｅｒｍｉｔｅ矩阵的一个判别法和对角线上元素的特征;     

甲基乙烯基硅酮在外场作用下的光激发特性研究

采用密度泛函B3P86和组态相互作用方法在6-311++G^**基组水平上计算了甲基乙烯基硅酮分子从基态到前10个激发态的跃迁波长，振子强度，自发辐射系数A_n0和吸收系数B_0n(n＝1—10).同时研究了外电场对甲基乙烯基硅酮分子激发态的影响规律.结果表明，随外电场强度增大，最高占据轨道与最低空轨道能隙变小，激发能随电场增加而急剧减小.因而表明在外电场作用下，分子易于激发和 关键词： 甲基乙烯基硅酮 激发态 外电场     

SrBi4Ti4O15的化学键性质和铁电性研究

通过原子环境计算方法分析了正交相SrBi₄Ti₄O₁₅晶体内的键络结构、各原子的空间配位数及局域团簇结构. 在此基础上, 结合晶体分解理论将SrBi₄Ti₄O₁₅晶体分解为多个二元赝晶体, 根据化学键介电理论计算得到各赝晶体所对应化学键的有效价电子密度、离子性等化学键性质. 通过键偶极矩建立了铁电体自发极化强度与化学键性质之间的关系, 求得正交相SrBi₄Ti₄O₁₅沿a轴方向的自发极化强度为28.03 μC/cm², 与实验结果和其他理论计算值符合较好.