不饱和类锗烯H2C=GeNaBr的密度泛函理论研究

应用密度泛函理论DFT方法,在B3LYP/6-311G(d,p)水平上研究了不饱和类锗烯H2C=GeNaBr的结构及异构化反应.结果表明,不饱和类锗烯H2C=GeNaBr有3种平衡构型,其中非平面的p-配合物型构型能量最低,是其存在的主要构型.并对平衡构型间异构化反应的过渡态进行了计算,求得了转化势垒,预言了最稳定构型的振动频率和红外强度.     

Ni^2—交换蒙脱石中的镍物种及焙烧温度影响研究

对一组自制Ｎｉ＾２＋交换蒙脱石样品中镍物种的存在在形及焙烧温度影响进行了ＴＰＲ和ＸＲＤ考察结果表明，样品中镍负载量等于或小于Ｎｉ＾２＋的交换量时，镍主要以难还原听可交换性阳离子Ｎｉ（ＯＨ）＾ｑ＋ｘ和易还原的自由态镍Ｎｉ（ＯＨ）２或ＮｉＯ两种形式存在。     

酞菁分子XPS的CNDO研究

基于在生理、催化等方面研究中的重要作用,H_2Pc分子的电子结构一直受到广泛的注意和研究。但是,理论上算出的电荷分布与实验上测出的NIS XPS信息,目前还不相符。为此,本文用CNDO/2计算方法,对应H_2Pc的文献几何构型,进一步考察了H_2Pc与H_2Pc＇的电子结构。计算方法和结果H_2Pc和H_2Pc＇的骨架构型见图1。对于固态与气态的H_2Pc,目前多数人认为其具有D_(2h)点群对称性(尽管作为D_(4h)点群对称性的根据也是存在的)。为考察分子构型改变(特别是切割)对分子的电子结构、特别是电荷分布的影响,我们     

Theoretical Prediction on the Germylenoid HB=GeLiF and Its Insertion Reaction with R-H（R = F,OH,NH_2）

In the present work we investigated a novel triplet ground-state germylenoid HB=GeLiF as well as its insertion reactions with RH(R = F,OH and NH2) using the DFT B3LYP and QCISD methods for the first time.Geometry optimization calculations show that the triplet HB=GeLiF has three equilibrium structures,in which the four-membered ring structure is the most stable with the lowest energy.All mechanisms of the three insertion reactions of germylenoid HB=GeLiF with RH(R = F,OH,and NH2) are identical to each other.Based on the calculated results,it is concluded that under the same conditions the insertion reactions should occur easily in the order of H-F > H-OH > H-NH2.In THF solvent the insertion reactions get more difficult than in the gas phase.     

1MeVSi~＋衬底加温注入Al＿（0．3）Ga＿（0．7）As／GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究

用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ￣＋在衬底加温和室温下以不同剂量注入Ａｌ＿（０．３）Ｇ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温下，观察到Ａｌ＿（０．３）Ｇａ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围，以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比ＧａＡｓ更难以损伤，并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于ＧａＡｓ中的相应临界剂量，用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用ＣＮＤＯ／２量子化学方法计算了ＧａＡｓ和Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ中化学键的相对强度，并根据计算结果解释了注入过程中Ａｌ＿（０．３）Ｇａ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ中晶格损伤程度的差别。     

不饱和类硅烯H2C=SiNaCl的密度泛函理论研究

采用密度泛函理论方法,在B3LYP/6-311G(d,p)水平上研究了不饱和类硅烯H2C=SiNaCl的结构.结果表明,不饱和类硅烯H2C=SiNaCl共有4种平衡构型,其中非平面的p-配合物型构型能量最低,是不饱和类硅烯H2C=SiNaCl存在的主要构型.对平衡构型间异构化反应的过渡态进行了计算,求得了转化势垒.计算预言了最稳定构型的振动频率和红外强度.     

不饱和类硅烯H2C＝SiMBr (M＝Li, Na)的DFT研究

采用密度泛函理论方法, 在B3LYP/6-311G (d,p)水平上研究了不饱和类硅烯H₂C＝SiMBr (M＝Li, Na)的结构. 结果表明, 不饱和类硅烯H₂C＝SiLiBr与H₂C＝SiNaBr各有三种平衡构型, 其中非平面的p-配合物型构型能量最低, 是这两种不饱和类硅烯存在的主要构型. 对平衡构型间异构化反应的过渡态进行了计算, 求得了转化势垒. 计算预言了最稳定构型的振动频率和红外强度.     

不饱和类硅烯H2C=SiNaF的DFT研究

用密度泛函理论方法, 在B3LYP/6-31+G(d, p)水平上研究了不饱和类硅烯H2C=SiNaF的结构. 结果表明, 不饱和类硅烯H2C=SiNaF共有四种平衡构型, 其中非平面的p-配合物型构型能量最低, 是不饱和类硅烯H2C=SiNaF存在的主要构型. 对平衡构型间异构化反应的过渡态进行了计算, 求得了转化势垒. 计算预言了最稳定构型的振动频率和红外强度.