新型D-π-A结构芪类衍生物的合成及其光学性质

以对硝基甲苯为起始原料,与NBS经溴代反应制得对溴甲基硝基苯(2);2与亚磷酸三乙酯经取代反应得4-硝基苯基膦酸二乙酯(3);4-醛基苯基亚氨基二乙酸二乙醇与3或对硝基苯乙腈分别经Wittg-Homer反应和Knoevenagel缩合反应合成了两种新型芪类化合物(5和7),其结构经1H NMR,13C NMR,IR和ESI-MS表征.用UV-Vis和荧光光谱研究了5和7的光学性质.结果表明:5和7的最大吸收峰均位于410 nm;5的荧光发射峰位于529nm,较7红移26nm,发射强度提高129倍.     

新型D-π-A结构茋类衍生物的合成及其光学性质

以对硝基甲苯为起始原料,与NBS经溴代反应制得对溴甲基硝基苯(2);2与亚磷酸三乙酯经取代反应得4-硝基苯基膦酸二乙酯(3);4-醛基苯基亚氨基二乙酸二乙酯与3或对硝基苯乙腈分别经Wittig-Horner反应和Knoevenagel缩合反应合成了两种新型茋类化合物(5和7),其结构经1H NMR,13C NMR,IR和ESI-MS表征。用UV-Vis和荧光光谱研究了5和7的光学性质。结果表明:5和7的最大吸收峰均位于410 nm;5的荧光发射峰位于529 nm,较7红移26 nm,发射强度提高129倍。     

铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池一价金属替位的研究进展

铜锌锡硫硒(CZTSSe)电池具有组成元素丰度高且环境友好、光吸收系数高、带隙可调、高稳定性等优点, 是一类非常有发展前景的新型薄膜太阳能电池. 目前, CZTSSe电池最高认证效率为12.6%, 与商品化铜铟镓硒(CIGS)电池相比仍然有较大差距, 特别是开路电压(V_OC)和填充因子(FF)偏低. 开压损耗是制约CZTSSe器件效率进一步提升的关键因素之一. 其中, 吸收层带尾态和深能级缺陷及界面能级不匹配是开压损耗大的主因, 而Cu-Zn无序引起的铜锌替位(Cu_Zn)与锌锡替位(Sn_Zn)缺陷又是影响带尾态的关键因素, 因此, 减少Cu_Zn和Sn_Zn缺陷有助于提升V_OC. 一价金属替位能有效改善带尾态、构建合适能带结构, 在一定程度上解决器件开压损耗问题. 但是, 有关一价金属替位如何影响CZTSSe电池性能, 仍然缺乏全面系统的概述. 本文综述了基于一价金属替位方法CZTSSe电池的研究进展. 首先介绍CZTSSe电池的发展历程、工作原理、制备工艺和关键材料等; 其次, 详细讨论一价金属替位的理论研究; 再次, 结合实验进展, 重点讨论一价金属部分替位及完全替位CZTSSe材料的制备及其对带尾态、界面缺陷和能带结构研究; 最后, 对一价金属替位研究的关键科学问题、未来发展潜力等进行讨论和展望, 并提出可能的解决思路.