利用光反射精确测量亚共析碳钢的含碳量

本文从光学角度出发提出了一种经济实用、精度高的测量亚共析碳钢中碳的含量的新方法。阐述了该方法的测量原理，即以金相试样表面对光的反射程度来判定其含碳量，并给出了有关经验公式及数据处理方法。     

用5种不同的电子光学软件对微波管电子枪进行模拟计算

 对TWTCAD微机版、工作站版本、EGUN，CAMEO以及Orprogr电子光学软件背景和特点作了一个简单介绍，并利用其模拟计算了11支不同结构的电子枪。将计算得到的导流系数、射程和注腰半径与实验数据列表对比，结果表明：不同电子光学软件计算不同类型电子枪其计算精度也不一样。在导流系数方面，EGUN和Orprogr的计算精度较高，绝对平均误差分别为7.18%和7.4%；在射程方面，TWTCAD的计算精度最高，绝对平均误差为5.69%；在注腰半径方面，Orprogr与实验值偏差较大，绝对平均误差为47.43%，而工作站版本的计算精度最高，绝对误差仅为2.29%。     

皮尔斯电子枪非迭代综合法的修正

 对Tiwary非迭代综合法进行了整理分析，根据阴极半锥角大小的不同范围对其计算公式做出了相应修正，使得计算结果与Vaughan迭代综合法的计算结果相吻合，二者之间相差可以实现小于1°；对阳极半径公式也做了合理的修正，使阳极与阴极之间的间隙及电子枪射程的计算精度也与迭代综合法相当。采用非迭代法的修正方法计算精度受阴极半锥角大小的影响大大减小，扩大了其应用范围。     

化合物半导体中离子射程参数与化学键中离子特性间关系研究

本文基于分子轨道法线性组合理论,推导出不同原子组成的分子的久期方程,从而得出分子波函数线性组合的特征常数N和λ的定量关系式,以及成键合能量和反键合能量的方程式.并通过这两能量之差,使N,λ系数与晶体对称势V_共价所产生的平均能隙E_h,反对称蛰V_离子所产生的能隙C和其总能隙E_g等相联系起来,导出了λ与分数光谱离子性f_i和C/E_h比值间的关系式.由λ,N可导出f_i与化合物半导体中离子射程参数间的关系式.应用上述一些关系式结合闪锌矿和纤锌矿结构特性,可以很好地解释两种结构的偏离系数γ(即化合物半导体中实际电子阻止本领对Bragg电子阻止本领的偏离系数)间互成倒数和压电系数e_pol的符号相反的原因.因此从C/E_h,γ,e_pol,对fi三曲线转折点完全一致,可以清晰地看出半导体化合物的价键和晶体结构特性决定了它的一系列物理、化学特性. 关键词：     

铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究

用300—500 keV能量的铒(Er)离子注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×10¹⁵ cm^-2 的Er离子注入6H-SiC晶体的平均投影射程R_p和射程离散ΔR_p,将测出的实验值和TRIM软件得到的理论模拟值进行了比较,发现R_p的实验值与理论值符合较好,ΔR_p的实验值和理论值差别大一些 关键词： 离子注入 投影射程和射程离散 退火行为 卢瑟福背散射技术     

基于均匀先验分布武器射程评定的Bayes方法

应用Bayes统计方法进行武器射程的评定,可以有效减少试验的样本量,节省试验弹药,Bayes方法的关键是确定先验分布,均匀分布是比较容易确定的一种先验分布,该文给出了基于均匀先验分布武器射程评定的Bayes方法,对改进射程的评定方法,减少试验用弹量,具有重要作用.     

关于斜抛运动的分析

对斜抛运动的方程进行了较详细的分析，从而得到了关于斜抛物体的若干运动特性。     

美丽错误 深层原因 有效应对——2012年江苏高考数学应用题评析

2012年高考已然结束,和学生们聊起数学试题,许多学生对第17题仍心有余悸,感觉不甚清晰.从阅卷情况看,全省平均得分仅为6分左右,学生的错误可谓形形色色,层出不穷,咋看令人瞠目,但细细品味,又觉这些错误不仅合理,而且美丽.它们或是突兀中暗含自然,或是怪异中不乏平常.这些错误都是学生最朴实思想的真实暴     

斜面上任意抛射的最佳抛射角

对斜面上任意抛射的最佳抛射角和射程计算公式进行了推导.     

CCD电子辐照效应三维蒙特卡罗模拟研究

CCD易受空间环境中高能电子辐射的影响,造成性能下降和工作异常,针对此问题,选取某国产N沟道3相多晶硅交迭栅、帧转移结构CCD开展了电子辐照效应研究。采用三维蒙特卡罗软件FLUKA建立电子辐照CCD的组成材料Si和SiO₂模型,仿真模拟电子和材料相互作用的物理过程,计算不同能量电子在Si和SiO₂中的总质量阻止本领和射程,与文献理论计算结果对比验证了本文仿真方法的正确性。建立CCD像元阵列的三维模型,模拟计算不同能量电子在CCD中能量沉积过程的影响,以及像元间有无边界对电子在CCD像元中平均原子离位（DPA）的影响,分析了辐照损伤差异产生的机理。结果表明,靠近入射点的像元能量沉积最大处对应的入射电子能量较小;对于无边界像元,电子辐照产生的DPA随入射深度的增加先增加后减小,而在有边界像元中产生的DPA随入射深度的增加先减小后增加,并且随入射深度的增加无边界像元中产生的DPA与有边界像元中产生的DPA差值越来越小。