柱面微通道板的制备及其性能研究

针对未来空间天文学应用的超分辨率光谱成像仪器的需求，对低噪声柱面微通道板（MCP）的制备方法及其性能进行了研究. 提出了一种将光学抛光与热成型相结合的新的柱面MCP制备方法，利用不含放射性元素的低噪声MCP玻璃，制备出曲率半径为400mm、尺寸为30mm′46mm、长径比为80:1、通道直径12.5mm、通道间距15mm的柱面MCP，并将其与感应电荷楔条形阳极（WSA）组成光子计数探测器，对其暗计数率、分辨率进行了检测，暗计数率约为0.1counts/cm2×s.     

基于ADS的射频前端预选器的设计与仿真

预选器作为射频接收前端的主要组成部分,对整个射频信号的接收有着重要的作用。针对实际无线通信环境下的应用,使用ADS软件设计了一种20MHz~3.6GHz的射频前端预选器。在该设计中采用了亚倍频程滤波器组进行分段滤波和抑制镜像信号,并利用低噪声放大器（LNA）对信号进行放大并减小噪声,并对设计的预选器关键部分的插入损耗、增益、噪声系数等指标进行了仿真。仿真结果显示,所设计的预选器各项性能指标均已达到了预期的要求,对接收机前端系统的研究和完善具有重要的参考价值。     

单纵模671nm红光激光器

利用全波片和Nd:YVO4激光器的偏振特性构成双折射滤光片,使用I类临界相位匹配LBO作为倍频晶体,在注入泵浦功率2.7W的情况下获得149mW的671nm单纵模红光输出,光-光转换率5.6%,该结构简单、紧凑,适合用于中低功率激光器。     

阿尔泰推出高速高精度PXI/PCI-85XX系列数字化仪

针对高速高精度的应用需求,我公司推出采样率从1MS/s到150MS/s,精度从8bit到16bitPXI/PCI-85XX系列数字化仪,板卡搭配低相噪数字时钟芯片、精密校准电路及高性能ADC,使其具有高精度、低噪声和高动态范围的性能。阿尔泰科技数字化仪主要包括以下产品:PCI/PXI-8520,PCI/PXI-8502,PCI/PXI-8512,PCI/PXI-8522,PCI/PXI-8532,PCI/PXI-8552,PCI/PXI-8504,PCI/PXI-8514,PCI/PXI-8524,PCI/PXI-8501,PCI/PXI-8506。     

新仪器,新设备

TS2kW/20KC超声波清洗机产品定型鉴定会于1987年4月4日在清华大学举行.会议由中国仪器仪表学会副理事长唐统一教授主持.与会代表来自14个单位,其中有电子学、声学方面的专家、教授、高级工程师.大家认真细致地审查了技术报告、技术资料、各厂家的使用报告及768厂的例行试验报告,并在现场对样机进行了详尽的考察和试验.     

高速、低噪声超导HEB太赫兹检测系统

本文介绍了一款高速、低噪声超导热电子测辐射热计(hot electron bolometer,HEB)的太赫兹检测系统,实验结果显示其有效提高了中频带宽(7.4GHz),减小了噪声温度(@0.65THz,系统在最佳偏置点的双边带(DSB)噪声温度为1185K).同时,用此款超导HEB太赫兹检测系统验证了改进后的傅里叶变换光谱仪(FTS)系统的稳定性及可靠性.     

低温隔板极化器研制

利用三维电磁场仿真软件计算工作频率为8.3~8.6GHz的低温极化器初始尺寸,并通过热分析软件提取低温环境下极化器产生的结构变形量,进而采用结构参数补偿的方式,确定低温隔板极化器结构尺寸。测试结果表明,研制的低温极化器在8.3~8.6GHz频段内,实现了线圆极化信号间的极低噪声转换。     

低温低噪声放大器的发展概况及其结构设计综述

介绍了低温低噪声放大器的研制历史、现状及应用情况 ,举例分析了在该类放大器的结构设计中需要解决的关键技术 ,对军事和民用装备的有关领域有参考作用。     

场效应器件低温特性与低噪声放大器

高温超导滤波器与低噪声放大器(LNA)组成的射频接收机前端设备具有高选择性、高灵敏度和极低的噪声,因而展现出广阔的应用前景.本文研究了场效应器件的低温物理特性和电学参数,研制了一种适用于高温超导微波接收系统的低温低噪声放大器,在60K工作温度下,具有很好的噪声特性.包括高电子迁移率场效应晶体管在内的元件参数均在60K温度下进行了实际测量.放大器的各项指标与设计值吻合,工作频段为800MHz～850MHz,增益大于18dB,输入输出驻波比小于1.2,噪声系数小于0.22dB.     

高电子迁移率晶体管放大器高功率微波损伤机理

在TCAD半导体仿真环境中,建立了0.25 m栅长的AlGaAs/InGaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)低噪声放大器与微波脉冲作用的仿真模型,基于器件内部的电场强度、电流密度和温度分布的变化,研究了1 GHz的微波从栅极和漏极注入的损伤机理。研究结果表明,从栅极注入约40.1 dBm的微波时,HEMT内部峰值温度随着时间的变化振荡上升,最终使得器件失效,栅下靠源侧电流通道和强电场的同时存在使得该位置最容易损伤;从漏极注入微波时,注入功率的高低会使器件内部出现不同的响应过程,注入功率存在一个临界值,高于该值,器件有可能在第一个周期内损伤,损伤位置均在漏极附近。在1 GHz的微波作用下,漏极注入比栅极注入更难损伤。