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二硫化钼纳米带按边界结构特征可分为锯齿型和扶手型,在制备过程中,不可避免地会存在一定的缺陷,其中硫空位(VS)最为常见,它将改变纳米结构,进而影响其电子性质。本文采用密度泛函理论来研究S空位对扶手型二硫化钼纳米带性质的影响。计算结果表明:纯扶手型二硫化钼纳米带(AMoS2NRs)为非磁性半导体,但其物性受S空位的位置及浓度所调制。当S空位出现在纳米带内部时,其性质不变。但当S空位在纳米带边缘时,AMoS2NRs被调节成半金属;并随着S空位的浓度的增加,其物性从半金属转变为稀磁半导体。这一有趣的发现将使得低维MoS2纳米材料在自旋电子学上有更宽广的应用。 相似文献
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臧宏亮 叶沿林 李智焕 王建松 楼建玲 李奇特 葛愉成 杨晓菲 李晶 蒋伟 冯俊 刘强 杨彪 陈志强 刘洋 吴鸿毅 牛晨阳 李晨光 王春光 王翔 刘威 高见 余翰舟 马军兵 马朋 白真 杨彦云 金仕纶 卢飞 《中国物理C(英文版)》2018,42(7):074003-074003
An experiment for p(~(14)C,~(14)C~*→~(10)Be+α)p inelastic excitation and decay was performed in inverse kinematics at a beam energy of 25.3 Me V/u.A series of~(14)C excited states,including a new one at 18.3(1)Me V,were observed which decay to various states of the final nucleus of~(10)Be.A specially designed telescope system,installed around zero degrees,played an essential role in detecting the resonant states near theα-separation threshold.A state at 14.1(1)Me V is clearly identified,being consistent with the predicted band-head of the molecular rotational band characterized by theπ-bond linear chain configuration.Further clarification of the properties of this exotic state is suggested by using appropriate reaction tools. 相似文献
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