非Hermitian正定线性方程组的外推的HSS迭代方法

为了高效地求解大型稀疏非Hermitian正定线性方程组，在白中治、Golub和Ng提出的Hermitian和反Hermitian分裂（HSS）迭代法的基础上，通过引入新的参数并结合迭代法的松弛技术，对HSS迭代方法进行加速，提出了一种新的外推的HSS迭代方法（EHSS），并研究了该方法的收敛性.数值例子表明：通过参数值的选择，新方法比HSS方法具有更快的收敛速度和更少的迭代次数，选择了合适的参数值后，可以提高HSS方法的收敛效率.     

一类预条件AOR迭代法的收敛性分析

本文研究了线性方程组Ax=b的预条件迭代法.利用新的待定参数加速预条件子的方法,获得了一种带参数的新预条件迭代法,并对参数的选择给出必要条件,证明了对于非奇异不可约M-矩阵,新预条件方法收敛且可以加速AOR迭代法的收敛速度,数值例子表明新预条件方法是有效的,推广了已有文献中的有关结果.     

一种求解鞍点问题的广义对称超松弛迭代法

本文研究了鞍点问题的迭代算法.利用新的待定参数加速迭代格式并结合SSOR分裂的方法,获得了有两个参数的广义对称超松弛迭代法及其收敛性条件.数值例子表明选择适当的参数值可以提高算法的收敛效率,推广和改进了SOR-like迭代法.     

硅基光波导中啁啾高斯脉冲在反常色散区的传输特性

本文利用激光脉冲在硅基光波导(SOI)中传播时满足的非线性薛定谔方程,采用分步傅里叶变换,数值模拟了硅基光波导中啁啾高斯脉冲在反常色散区的传播特性.通过模拟发现,三阶色散正负主要决定了脉冲的振荡波形性质,克尔效应与双光子吸收对脉冲波形起调制作用,自由载流子效应则可以忽略.初始啁啾参数的正负存在影响了脉冲的振荡强弱变化和脉冲中心的漂移的趋势,并且无论是正啁啾还是负啁啾,脉冲振荡与漂移都随着啁啾的增大而更加剧烈,同时啁啾正向增大与负向增大,都将导致脉冲展宽越严重致主峰峰值越低.     

基于动态密钥选择与多方向扩散的图像加密算法

设计了基于动态密钥选择与多方向扩散的图像加密算法。利用128位外部密钥来生成4个Logistic映射的初值,通过对其迭代,获取4个随机序列;利用明文自身像素特性,定义一个引擎计算函数,联合随机序列,在像素置乱过程中,根据引擎值来动态选择加密密钥,通过构建非线性像素交叉互换方法,不同的密钥来置乱不同的明文像素位置,消除了置乱周期性;设计4方向连续扩散方法,利用4个方向的扩散函数对置乱图像进行加密。测试数据表明:与当前图像加密技术相比,所提技术具备更高的安全性与抗明文攻击能力,能够较好地对图像完成解密。     

富稀土晶界相对三种热变形钕铁硼合金矫顽力的影响

为分析影响热变形钕铁硼磁体矫顽力的因素,制备了3种不含Dy,Ga热变形磁体,磁体成分分别为Nd10.5Pr2.5Fe80Nb1B6,Nd11.5Fe81.8B6.0Nb0.7+6%Nd67Cu33及Nd10.5Pr2.5Fe80Nb1B6+6%Nd67Cu33,由Nd-Fe-B三元相图计算了富稀土晶界相体积分数v,实验结果表明:v对富稀土钕铁硼热变形磁体矫顽力的贡献为98.10 k A·m-1·%-1,比v对贫稀土钕铁硼混粉热变形磁体矫顽力的贡献低36%~44%;由v=1-a3/[(a+h)2(a+3h)]计算了富稀土晶界相厚度h,发现在v相同条件下热变形钕铁硼磁体晶界相厚度h随主相片状晶等效平均晶粒尺寸a的减小虽然减薄,但a占主导作用导致磁体的矫顽力仍然提高;在片状晶等效平均晶粒尺寸a相近的条件下,热变形钕铁硼磁体晶界相厚度随晶界相体积分数v的增加而变厚,主相片状晶的磁绝缘效果提高导致热变形磁体的矫顽力上升。     

Anti-Reflection Characteristics of Si Nanowires for Enhanced Photoluminescence from CdTe/CdS Quantum Dots

CdTe/CdS quantum dots(QDs) are fabricated on Si nanowires(NWs) substrates with and without Au nanoparticles(NPs). The formation of Au NPs on Si NWs can be certified as shown in scanning electron microscopy images. The optical properties of samples are also investigated. It is interesting to find that the photoluminescence(PL) intensity of Cd Te/Cd S QD films on Si nanowire substrates with Au NPs is significantly increased,which can reach 8-fold higher than that of samples on planar Si without Au NPs. The results of finite-difference time-domain simulation indicate that Au NPs induce stronger localization of electric field and then boost the PL intensity of QDs nearby. Furthermore, the time-resolved luminescence decay curve shows the PL lifetime, which is about 5.5 ns at the emission peaks of QD films on planar, increasing from 1.8 ns of QD films on Si NWs to4.7 ns after introducing Au NPs into Si NWs.