导向相应功率定位中时延不确定项的影响

在分布式传声器网络应用中,可控波束形成器导向相应功率(SRP)声源定位算法受到导向时延不准确的影响导致定位不稳定.将导向时延不确定项引入SRP定位模型,并对引起不确定项的主要干扰因素进行了分析建模,同时提出了应对导向时延不确定项的SRP定位算法.蒙特卡罗仿真和分析表明该算法具有抑制噪声和降低定位误差的效果,实际实验数据...     

单、 双及双混氮杂卟啉的结构和电子吸收光谱

利用密度泛函和含时密度泛函理论对卟啉(FBP)、 单氮杂卟啉(N/Neo-CPs)、 双氮杂卟啉(DNCPs)及双混氮杂卟啉(Neo-C-NCPs)的结构与电子吸收光谱进行了研究. 结果表明, 由于N/C位置改变, 分子对称性和轨道组成发生改变, 氮杂卟啉中2-NCP-2H, 2,18-DNCP-2H 和1,17-Neo-C-NCP的各前线和近前线轨道能级发生较大变化, 光谱峰红移较显著; 电子-空穴分布图表明3类氮杂卟啉电子跃迁途径更丰富. 进一步探讨了水、 氯仿和苯3种溶剂对4类卟啉分子的影响. 结果表明, 随着溶剂极性减小, FBP, N-/Neo-CPs, DNCPs和Neo-C-NCPs的Q带吸收峰红移越明显, 吸收略有增强.     

气体流量对Si与光刻胶选择比的影响

采用等离子ICP刻蚀机,对<110>向单晶硅进行真空刻蚀.结果表明:随着时间的增大,刻蚀深度(纵向距离)在增大,刻蚀速率为200 nm/min;侧蚀距离(横向距离)随着时间的推移而增大,在60 min时候,单壁侧蚀距离为1.5μm,侧蚀速率在50 nm/min;Si的刻蚀速率随着SF6的气体流量的增加而增大,当流量达到80 sccm,刻蚀速率为268 nm/min;光刻胶刻蚀速率却随着气体流量的增加而降低,在70 sccm时候,光刻胶刻蚀速率为32 nm/min;光刻胶的刻蚀速率与Si的刻蚀速率在一定场合下呈现反比例关系.