氘化对KH2PO4晶体微观缺陷影响的正电子湮没研究

采用传统降温法从不同程度氘化(x=0, 0.51, 0.85)的生长溶液中生长氘化KH₂PO₄(KDP) 晶体, 利用正电子湮没技术(正电子寿命谱和多普勒展宽谱)、结合X射线衍射谱(XRD) 结构分析, 对KDP晶体氘化生长的微观缺陷进行了研究, 讨论了氘化程度对晶体内部微观结构特性、缺陷类型和浓度的影响. XRD结果显示晶胞参数a, b值随氘含量的增加而增加, c值无明显变化; 正电子寿命谱结果发现随着氘化浓度的提高, KDP晶体内部中性填隙缺陷以及氧缺陷不断增加, 引起晶体晶格畸变; 氢空位、K空位、杂质替位缺陷不断发生缔合反应形成复合缺陷, 缺陷浓度不断减少; 团簇、微空洞等大尺寸缺陷也在不断发生聚合反应, 缺陷浓度表现为不断减少. 多普勒实验结果表明随着氘化程度的提升, 晶体内部各类缺陷表现为同步变化. 实验结果表明, KDP晶体在低浓度氘化生长(50%以内)下缺陷反应较弱, 而在高浓度氘化(50%以上)下的缺陷反应显著增强.     

Theoretical study on the Rocksalt structured positron annihilation in magnesium oxide

Based on the atomic superposition approximation （ATSUP） and first-principles pseudopotential plane-wave methods, the bulk and Mg mono-vacancy positron lifetime of magnesium oxide were calculated using Arponen-Pajamme and Borofiski-Nieminen positron-annihilation-rate interpolation formula respectively. The calculated values are in good agreement with experimental values and the first-principles method gives more convincing results. The positron annihilation density spectra analysis reveals that positrons mainly annihilate with valence electrons of oxygen atoms when the magnesium-vacancy appears within magnesium oxide.     

Relationship between positron bulk lifetime and lattice constants-research on NaCl-type crystals

The positron lifetimes of some compounds with NaCl-type crystal structure are calculated with the method of atomic superposition approximation (ATSUP) based on the theories of local-density-approximation (LDA) and generalgradient-approximation (GGA).The systematical results are fitted to a curve as a function of lattice constants.The positron bulk lifetimes of some other compounds with NaCl-type crystal structure,which are deduced from the systematical results,are in agreement with the experimental results given in other literature.     

中国科学技术大学物理50年

在中国科学技术大学建校50周年之际,回顾其物理学教学和科研发展的风雨历程是一件有意义的事情.中国科学技术大学物理学50年来的发展变迁跌宕起伏,难于全面叙述, 我们编写了<中国科大物理50年>一书,本文根据该书压缩而成.下面仅以现在的中国科学技术大学理学院物理系及与其有历史渊源的院系单位作为介绍对象进行介绍.     

不锈钢在14.6MeV中子轰击下质子发射的能谱和角分布

描述了用多路望远镜系统测量不锈钢在快中子辐照下质子发射的双微分截面,所测量的16个反应角的范围为25°—165°,平均分辨约为12°.并由此得到了出射质子的能谱、角分布和总发射截面.     

一个用于(中子,带电粒子)核反应测量的多路望远镜系统

设计了一个用于快中子引起的(中子,带电粒子)核反应双微分截面测量的多路望远镜系统.该系统由内外两个ΔE多路正比室和一个中心能量探测器CsI(Tl)闪烁体组成.系统采用快慢三重符合,对所有信号进行筛选.建立了一套用于研究(中子、带电粒子)核反应电子学五参数获取系统.利用该系统,可以测量从30°—160°的16个反应角,并可同时测量反应产物谱和本底谱.     

质子辐照ZnO白漆光学退化的慢正电子湮没分析

 采用慢正电子湮没光谱研究低能质子辐照下ZnO白漆的光学退化。研究结果表明,随质子辐照注量的增加, 多普勒展宽谱的S参数逐渐减小,W参数逐渐增大。质子辐照下S-W参数拟合曲线的斜率发生改变。S参数的减小可以归结为锌空位含量的减少以及准正电子素的形成。准正电子素{单电离氧空位（捕获一个电子）+正电子}的形成,能够降低正电子湮没的速率,导致S参数减小。S参数的减小证实了质子辐照导致ZnO白漆中单电离氧空位数量的增加。S-W参数拟合曲线斜率的变化可以归结于质子辐照下双电离氧空位向单电离氧空位的转变。     

元素周期表中元素单晶基于局域密度理论的正电子寿命计算

在局域密度近似理论（LDA）的基础上用中性原子叠加模型和有限插分方法（SNA-FD）计算了元素周期表中各种元素单晶的正电子体寿命和单空位寿命.分析了不同结构的单晶中自由正电子的分布信息和湮没信息.元素单晶的正电子寿命计算值与文献中的实验测量值相符合,表明LDA基础上的SNA-FD方法可以作为单晶中正电子湮没理论计算的有效研究手段. 关键词： 局域密度近似理论 正电子寿命     

碳纳米管束中的正电子理论

采用中性原子叠加模型和有限差分方法(SNA-FD)计算了大范围内不同管径的单壁碳纳米管束中的正电子情况，发现对于单壁碳纳米管束，正电子的主要湮没区域，湮没对象和正电子寿命随碳纳米管管径的不同而发生规律性变化.计算得到管径范围在0.8—1.6nm的碳纳米管束的正电子寿命范围为332—470ps，与实验测得的394ps符合较好.     

快中子引起的背向溅射

描述了用实验方法测量快中子引起的背向溅射,测量了Mg、Al、Sc、V、Fe、CO、Cu、Zr、Au和316型不锈钢等10种材料的背向溅射产额,并与正向产额进行了比较,发现背向和正向溅射产额的比值与核反应的类型有关.本实验的结果同其它小组的结果进行了比较,并用溅射理论对实验结果进行了解释.