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电拓扑状态预测有机磷酸酯类化合物的气相色谱保留指数 总被引:15,自引:0,他引:15
以原子类型电拓扑状态指数(ETSI)有效表征35个有机磷酸酯类化合物(OP)的分子结构, 应用基于预测的变量选择与模型化(VSMP)方法建立OP化合物在3种不同固定相上的气相色谱保留指数(RI)与分子结构(ETSI)的定量相关模型. 结果表明, 影响不同固定相上OP色谱保留的主要结构因素都是由7个ETSI描述子对应的子结构碎片, 即: =CH2,≡C—, aaC—, =O, —O—, Cl和Br. 其中子结构aaC—, =O和—O与OP化合物母体骨架密切相关, 而=CH2,≡C—, —Cl和—Br反映支链或取代基的变化. 通过多元线性回归法建立OP化合物在三个固定相上的定量结构-保留相关模型(QSRR)发现, 各QSAR模型的估计相关系数均在0.99以上, LOO检验相关系数在0.98以上, 表明模型具有良好估计能力与稳定性. 应用28个OP训练集样本构建的QSRR模型预测外部7个检验集RI结果表明训练集模型具有良好预测能力. 相似文献
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一种控制矩形光刻胶光栅槽深和占宽比的方法 总被引:3,自引:1,他引:2
利用光刻胶的非线性效应可以制作出了矩形的全息光栅。制作矩形光栅时,对槽形的控制被简化为对槽深和占宽比这两个参量的控制。首先借助实时潜像监测技术获得最佳曝光量,然后根据显影监测曲线的特征找出光栅槽底的残胶厚度为零的显影时刻,就能得到槽底干净的矩形光栅,同时保证槽深近似等于光刻胶的初始厚度;如果此后继续显影,就能适度减小占宽比。实验结果和理论分析都证实了这种控制方法的可靠性。对1200lp/mm的光栅,目前工艺能精确调控的最大槽深为1μm,占宽比在0.2~0.6范围内。实验还揭示,为了提高对光栅槽形的调控能力,必须首先提高干涉条纹的稳定性。 相似文献
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基于分子相互作用力场分析的多氯代二苯并二噁英定量结构-色谱保留关系 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了基于分子相互作用力场(MIF)、应用偏最小二乘(PLS)与多区组偏最小二乘(MBPLS)分析相结合,建立并检验多氯代二苯并二噁英(PCDD)定量结构-色谱保留关系(QSRR)模型的研究方法。分别以表征van der Waals、氢键和疏水效应的C3、H和DRY探针,计算75种PCDD的分子相互作用力场,并与其气相色谱Kov偄ts保留指数进行PLS与MBPLS分析,建立了拟合与预测效果良好的QSRR模型。其中MBPLS模型相关系数r2为0.998;交叉验证的相关系数q2为0.994。采用投影变量重要性方法判断了各种效应在PCDD色谱保留中的贡献。结果表明:van der Waals作用的影响最大,其次为疏水效应,而氢键效应影响较小。 相似文献
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提出了基于分子相互作用力场(MIF)、应用偏最小二乘(PLS)与多区组偏最小二乘(MBPLS)分析相结合,建立并检验多氯代二苯并二嗯英(PCDD)定量结构一色谱保留关系(QSRR)模型的研究方法。分别以表征van der Waals、氢键和疏水效应的C3、H和DRY探针,计算75种PCDD的分子相互作用力场,并与其气相色谱Kovats保留指数进行PLS与MBPLS分析,建立了拟合与预测效果良好的QSRR模型。其中MBPLS模型相关系数r^2为0.998;交叉验证的相关系数q^2为0.994。采用投影变量重要性方法判断了各种效应在PCDD色谱保留中的贡献。结果表明:van der Waals作用的影响最大,其次为疏水效应,而氢键效应影响较小。 相似文献
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本文提出一个新的悬浮聚氯乙烯(PVC)颗粒形成的看法。在搅拌的剪应力作用下,氯乙烯(VC)以约1μ直径的小滴分散于水中。聚合作用在这些小滴中进行。当转化率达到约25%时,相互凝聚成约100μ直径的PVC粒子。这个形成的看法用悬浮PVC树脂的电子显微镜照片予以证实。同时,由文献资料的树脂比表面数据,也证明了这个形成看法的正确性。 相似文献
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本文提出了悬浮PVC颗粒形成的新理论:借助于搅拌作用,液态氯乙烯以~0.7μm的微滴分散在水中,聚合反应在这些微滴里进行。当聚合转化率达到~25%时,这些微滴凝聚成~130μm的颗粒。该理论被大量实验事实和文献资料数据充分证实,逻辑推理也得到令人满意的结果。 相似文献
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全息光栅实时显影监测曲线的理论模拟 总被引:8,自引:2,他引:6
在特定的工艺条件下,光刻胶的非线性效应非常显著;合理地利用非线性效应,能够制作出近似矩形的全息光栅掩模。为了分析清楚非线性效应对光栅沟槽成形的作用机理,有必要建立一个显影理论模型。模拟得到的光栅轮廓和实验样片的扫描电子显微镜照片结果很吻合。根据这个模型,进而使用光栅严格理论,得到其主要特征与实时监测实验曲线一致的理论模拟监测曲线。理论分析和实验证实,该模型基本表征了工艺条件对光栅沟槽形状的影响,并揭示了光刻胶呈现显著非线性效应时,必然对应着明暗条纹中心位置之间的显影刻蚀速率相差很大。这个模型为全息光栅的工艺研究提供了一个有效的理论分析工具。 相似文献
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全息光栅制作中的实时潜像自监测技术 总被引:6,自引:4,他引:2
介绍了一种实时监测全息光栅曝光过程的新方法。在曝光过程中,光刻胶折射率的空间分布发生微小变化,由此形成的潜像光栅同时对记录光束产生衍射(自衍射),探测一个非零级次的衍射强度的变化就可对曝光过程实时监测。实验证明,这种技术能灵敏、客观地探测出样片之间由于个性差异所导致的最佳曝光量的漂移,制作者可以借此对曝光时间做实时补偿。发现自监测曲线之线性区的末端存在着一个明显的最佳曝光参考点,紧接其后是一个最佳曝光可选择区。采用了一个曝光模型,其模拟结果和实验中得到的自监测曲线能很好地吻合。理论分析证实,根据实时监测曲线的相对幅值来优化最佳曝光量的方法是很合理的,这种实时自监测是一种非常简单、能有效控制曝光量的技术。 相似文献