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1.
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对新近发现的四方Mo2B在0~40 GPa压力范围内的物性进行了研究,研究内容包括弹性、各向异性、脆性延展性、硬度、理论强度、热容、热膨胀系数等基本物理性质.研究发现在0~40 GPa压力范围内,四方Mo2B晶体均满足力学稳定性条件,并且表现出较强的各向同性.同时发现该晶体具有较高的抗压缩能力,但抗剪切能力较差,抗压和抗剪切能力会随压力增加而增长.此外还发现四方Mo2B为韧性材料,且压力越大韧性越强.计算显示它的维氏硬度为14.3 GPa,限制其作为超硬材料的应用.通过应力-应变的计算发现其不同方向的理想拉伸及剪切强度都比较低.此外,还利用准谐德拜模型研究了四方Mo2B的热膨胀系数以及定容热容等热力学性质.  相似文献   
2.
采用Ge浓缩法制备了高质量超薄绝缘体上锗硅(SiGe-on-insulator,SGOI)材料,然后在SGOI上通过超高真空化学气象沉积(UHVCVD)法外延了厚度为15 nm的超薄全局应变硅单晶薄膜,使用电子束光刻和反应离子刻蚀在样品上制备了一组纳米级尺寸不等的应变硅线条和应变硅岛,并利用TEM、SEM、Raman等分析手段表征样品.实验结果表明,本文制备的应变硅由于其直接衬底超薄SiGe层的低缺陷密度和应力牵制作用,纳米图形化的应变Si弛豫度远小于文献报道的无Ge应变硅或者具有Ge组分渐变层SiGe衬底的应变Si材料.  相似文献   
3.
采用基于密度泛函理论的第一原理方法研究了层状MoS2在压力下的热动力学性质和相变机制.计算表明MoS2的2Hc结构在17.5GPa会相变到2 Ha结构,与此前理论结果20GPa基本一致.对比分析了两个结构在压力下的弹性常数、体模量、波速、德拜温度、线性体模量、热膨胀系数和定容热容等热动力学性质.研究表明MoS2的2 Hc和2 Ha结构在0~60GPa都满足力学稳定性条件,说明相变不是由于力学稳定性丧失导致,并且两个高压相在压力下呈现出较强的弹性各向异性,在0~50GPa内其a轴抗压缩均能力强于c轴.在相变机制上,Mulliken布居分析表明,随着压力增加,S原子向Mo原子转移电子以及Mo原子内s电子向d电子转移对MoS2从2 Hc结构相变到2 Ha结构起到重要作用.  相似文献   
4.
在一种改进的光学联合变换相关加密系统中,将附加密钥改为圆形并提出了基于附加密钥旋转复用而实现多幅二值图像加密的方法。加密时,对于不同的待加密的图像,将附加密钥旋转至不同的角度,生成相应的联合功率谱。将这些得到的联合功率谱进行叠加,得到的复合联合功率谱即最终的密文。解密时,将附加密钥旋转至加密时所处于的对应角度,对复合联合功率谱进行解密,即得到相应的解密结果。理论分析和计算机模拟结果表明,解密结果对附加密钥的旋转角度非常敏感,因而该旋转角度可作为一个有效的参数来实现多图像加密。同时,也分析了加密图像的数量对于解密结果的影响。  相似文献   
5.
在传统的双随机相位光学加密系统的基础上,提出一种新的单强度记录光学加密技术。在加密时,将原始图像置于4-f系统的输入平面上进行双随机相位光学加密,利用CCD等感光器件记录输出平面上的光强分布作为密文,该光学加密过程只需一次曝光,在解密时,利用相位恢复算法进行迭代计算就可以由密文恢复原始图像。由于解密过程采用数字方式,因此可以在解密过程中引入各种数字图像处理技术来抑制散斑噪声,进一步改善解密图像质量。通过一系列仿真实验,证明该光学加密系统可以实现对二值图像和灰度图像的光学加密,并且能够很好地抵御已知明文攻击、选择明文攻击等方法的攻击。理论分析和计算机仿真表明,该光学加密技术系统结构简单,实现方便,并且不易受到各种攻击,安全性较高。  相似文献   
6.
The geometries, stabilities, and electronic properties of FSin (n=1~12) clusters are systematically investigated by using first-principles calculations based on the hybrid density-functional theory at the B3LYP/6-311G level. The geometries are found to undergo a structural change from two-dimensional to three-dimensional structure when the cluster size n equals 3. On the basis of the obtained lowest-energy geometries, the size dependencies of cluster properties, such as averaged binding energy, fragmentation energy, second-order energy difference, HOMO–LUMO (highest occupied molecular orbital–lowest unoccupied molecular orbital) gap and chemical hardness, are discussed. In addition, natural population analysis indicates that the F atom in the most stable FSin cluster is recorded as being negative and the charges always transfer from Si atoms to the F atom in the FSin clusters.  相似文献   
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