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1.
通过对(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xSrTiO3(0≤x≤0.15)陶瓷的相组成、晶体结构和介电性能的研究发现,该陶瓷为单一的钙钛矿结构相.当x含量较小(x<0.1)时为正交相结构,x≥0.1时转变为四方相结构.随着SrTiO3掺杂量的增加,样品的致密度增加,样品由正常铁电相逐渐向弥散铁电相转变,且相变温度明显下降,其相变峰的半高宽D和临界指数γ,随 x 的增加而增加.样品损耗ε″r(复介电常数虚部)随温度T的变化表明低温时弛豫极化损耗起主要作用,高温时漏导损耗起主要作用.同时介电常数实部ε′r随频率的变化显示(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xSrTiO3弛豫为德拜弛豫.  相似文献   
2.
采用固相烧结法合成了单相巨介电常数氧化物CaCu3Ti4O12(CCTO).用阻抗分析仪分析了10—420 K温度范围内的介电频谱和阻抗谱特性,并结合ZVIEW软件进行了模拟.结果表明:温度高于室温时,频谱出现两个明显的弛豫台阶,低频弛豫介电常数随温度升高而显著增大,表现出热离子极化特点;温度低于室温时,频谱表现出类德拜弛豫,且高、低平台介电常数值基本不随温度变化,表现出界面极化特点和较好的温度稳定性.频谱中依次出现的介电弛豫对应于阻抗谱中 关键词: 3Ti4O12')" href="#">CaCu3Ti4O12 介电频谱 阻抗谱 Cole-Cole半圆弧  相似文献   
3.
通过对(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xSrTiO3(0≤x≤0.15)陶瓷的相组成、晶体结构和介电性能的研究发现,该陶瓷为单一的钙钛矿结构相.当x含量较小(x<0.1)时为正交相结构,x≥0.1时转变为四方相结构.随着SrTiO3掺杂量的增加,样品的致密度增加,样品由正常铁电相逐渐向弥散铁电相转变,且相 关键词: 弛豫铁电体 0.5Na0.5)NbO3铁电陶瓷')" href="#">(K0.5Na0.5)NbO3铁电陶瓷 3掺杂')" href="#">SrTiO3掺杂 相变温度  相似文献   
4.
The magneto-optical Kerr effect of the HfO2 /Co/HfO2 /Al multilayer structure is investigated in this work, and an obvious cavity enhancement of the Kerr response for the HfO2 semiconductor is found both theoretically and experimentally. Surprisingly, a maximum value of about -3 ° of the polar Kerr rotation for s-polarized incident light is observed in our experiment. We propose that this improvement on the Kerr effect can be attributed to the multiple reflection and optical interference in the cavity, which can also be proved by simulation using the finite element method.  相似文献   
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